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序………………………………………………………（i）1

前言………………………………………………………（iii）第一章从电子管到晶体管1

1.1 人类的历史，就是一个不断地从必然王国向自由王国发展的历史1

目录1

1.2无线电电子技术的“心脏”2

1.3从电子管到晶体管2

第二章什么是半导体6

2.1导体、绝缘体和半导体6

2.2多晶体和单晶体7

2.3半导体有哪些奇怪的“脾气”8

第三章半导体是怎样导电的10

3.1两种类型的杂质10

3.2少数载流子和多数载流子11

3.3迁移率和寿命有什么意义13

4.1奇怪的发现17

第四章p-n结17

4.2有趣的现象——阻挡层的形成18

4.3 p-n结是怎样整流的21

第五章用合金法制造p-n结25

5.1用合金去如何形成p-n结25

5.2应该选用哪些合金材料28

5.3为什么要在氢气或真空中烧结30

5.4烧结温度要多高32

5.5烧结时间要多长34

5.6为什么烧结后要进行缓慢冷却35

5.7合金工艺的改进——蒸发合金法37

第六章用扩散法制造p-n结44

6.1从一个最简单的现象谈起44

6.2用扩散法如何形成p-n结45

6.3几种常用的扩散方法47

6.4哪些材料可以用作扩散杂质源55

6.5扩散温度要多高57

6.6扩散的时间要多长60

6.7扩散法的好处在哪里61

第七章如何制作欧姆接触电极65

7.1为什么要制作欧姆接触电极65

7.2用烧结合金方法制作欧姆接触电极66

7.3用蒸发合金方法制作欧姆接触电极68

7.4用电镀或化学淀积金属方法制作欧姆接触电极69

7.5 用热压法形成欧姆接触电极70

7.6如何使引线与电极焊接74

第八章 晶片的切割和晶片的表面处理80

8.1半导体单晶体具有人眼看不见的方向性80

8.2奇特的切割方法——研磨83

8.3为提高晶片表面的平整性而努力86

9.1驮载声音的“快马”95

第九章晶体二极管95

9.2从矿石检波器谈起96

9.3从电子管检波器回到晶体检波器97

9.4 晶体二极管的特性98

第十章点接触晶体二极管107

10.1简单的结构，方便的工艺107

10.2高频率领域的杰出尖兵108

10.3用什么金属材料做触丝109

10.4点接触二极管的管壳结构112

第十一章面结型晶体二极管116

11.1面结型二极管有哪些特点116

11.2锗面结型二极管117

11.3硅面结型二极管118

11.4大功率硅面结型二极管120

第十二章晶体三极管125

12.1新型的电子器件125

12.2晶体管的基本结构127

12.3晶体管的放大原理128

12.4晶体管的电压－电流特性曲线133

1 2.5晶体管的符号表示140

第十三章晶体管质量的标志——晶体管的参数143

13.1晶体管的放大特性参数144

13.2晶体管的频率特性参数154

13.3晶体管的极限参数168

13.4晶体管的直流特性参数180

13.5晶体管的开关特性参数185

13.6晶体管的噪声系数200

第十四章合金型晶体管207

14.1两个合金结207

14.2锗合金管213

14.3硅合金管219

14.4大功率合金管223

14.5特别现象—穿通229

14.6美中不足——截止频率低231

第十五章漂移型晶体管235

15.1加进一层扩散层235

15.2漂移电场，加快了载流子运动速度236

15.3集电结电容Cc和基极电阻rbb′为什么变得小了241

15.4关键在哪里243

第十六章合金扩散型晶体管248

16.1混合杂质源248

16.2一举两得—扩散结和合金结同时完成249

16.3烧“穿”了的扩散层252

16.4潜力还很大254

16.5提高功率261

第十七章台面晶体管267

17.1进一步减小基区宽度267

17.2齐头并进——结构的改进和工艺的完善270

17.3交叉蒸发合金工艺274

17.4硅台面管281

17.5高频大功率台面管284

第十八章平面晶体管290

18.1结表面的沾污问题290

18.2保护膜——二氧化硅膜291

18.3在硅片上生长二氧化硅膜292

18.4光刻297

18.5两个扩散结的获得303

18.6蒸发欧姆接触电极和引线的热压焊313

18.7大功率硅外延平面管321

18.8 p-n-p型硅平面管328

18.9锗平面管330

18.10平面管好在哪里333

第十九章晶体管的封装336

19.1为什么要密封晶体管336

19.2玻璃管壳封装337

19.3金属管壳封装341

19.4大功率晶体管的管壳结构345

19.5塑料封装347

第二十章昨天今、天和明天349

* * *358

附录一场效应晶体管358

附录二薄膜晶体管368

附录三外延生长技术370

附录四半导体集成电路381

附录五锗、硅和砷化镓的主要物理性能414

附录六锗和硅半导体材料的杂质浓度N与电阻率ρ415

的换算415

附录七半导体器件制造工业中一些常用的金属和合418

金及其主要性能418

附录八我国半导体器件型号命名法424