图书介绍
半导体器件的核辐射加固PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 包宗明，王儒全译 著
- 出版社： 北京：原子能出版社
- ISBN：15175·554
- 出版时间：1985
- 标注页数：397页
- 文件大小：16MB
- 文件页数：403页
- 主题词：
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图书目录
目录1
辐射对半导体材料和器件性能的影响1
功率晶体管的中子加固保证35
超加固双极型晶体管的设计51
双极型晶体管的中子加固保证筛选法73
电离辐射引起的hFE退化与发射区周长的关系86
TTL集成电路的中子加固保证技术91
高速ECL微电路的辐射加固105
双极型集成注入逻辑电路的辐射效应118
集成电压调整器的辐射效应及其加固的分析132
应用于加固系统的运算放大器148
CMOS加固技术170
硅表面缺陷对MOS辐射敏感度的影响186
辐射加固的CMOS/SOS202
辐射加固的CMOS集成电路的工艺技术211
在静态MOS存贮单元中宇宙射线诱发的软错误227
关于几种商用NMOS微处理机的电离辐射效应242
电离辐射总剂量对1802微处理机的影向250
LSI/VLSI制备工艺的辐射加固263
电离辐射对电荷耦合器件结构的影响271
电荷耦合器件的辐射效应290
辐射加固的p表面沟道电荷耦合器件305
砷化镓金属半导体场效应晶体管的辐射效应316
辐射环境下GaAs MESFET的退化332
三元系化合物红外探测器的辐射试验342
氯化氢吸收、掺铬和铝注入对加固二氧化硅的影响361
三氧化二铝栅绝缘层中的电荷注入和俘获372
92k位磁泡存贮器系统的窄脉冲瞬态辐射效应389