图书介绍
SOI技术 21世纪的硅集成电路技术PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- （比）考林基（Colinge，J.P.）著；武国英等译 著
- 出版社： 北京：科学出版社
- ISBN：703003757X
- 出版时间：1993
- 标注页数：215页
- 文件大小：7MB
- 文件页数：226页
- 主题词：绝缘衬底上外延硅MOS集成电路
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图书目录
第一章 引论1
第二章 SOI材料5
2.1 异质外延技术5
2.2 激光再结晶11
2.3 电子束再结晶17
2.4 区熔再结晶19
2.5 同质外延技术29
2.6 多孔氧化硅全隔离技术31
2.7 注氧隔离技术34
2.8 注氮隔离技术和注氧、氮隔离技术44
2.9 硅片键合和反面腐蚀46
2.10 材料应用49
第三章 SOI材料的表征技术52
3.1 膜厚度测量53
3.2 晶体质量62
3.3 硅膜的沾污70
3.4 载流子寿命和表面复合72
3.5 硅-二氧化硅界面80
第四章 SOI CMOS技术85
4.1 体硅器件和SOI器件工艺的比较85
4.2 隔离技术86
4.3 杂质分布91
4.4 源和漏区的硅化物化93
4.5 SOI MOSFET设计94
4.6 SOI CMOS与体硅CMOS设计的比较96
第五章 SOI MOSFET98
5.1 引言98
5.2 厚膜器件与薄膜器件的区分99
5.3 I-V特性103
5.4 跨导和迁移率118
5.5 亚阈值斜率122
5.6 碰撞电离和强场效应128
5.7 寄生双极晶体管效应133
5.8 积累型P沟道MOSFET137
6.1 源于体硅的非常规器件146
第六章 其它SOI器件146
6.2 新型特殊SOI器件150
第七章 恶劣环境下工作的SOI MOSFET的性能160
7.1 辐射环境160
7.2 高温工作环境167
7.3 低温工作171
第八章 SOI电路174
8.1 抗辐照和耐高温电路174
8.2 VLSI和高速CMOS电路176
8.3 三维集成电路179
参考文献186
索引208