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半导体器件研究与发展 第1册PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
![半导体器件研究与发展 第1册](https://www.shukui.net/cover/37/31161508.jpg)
- 王守武主编 著
- 出版社: 北京:科学出版社
- ISBN:7030006070
- 出版时间:1988
- 标注页数:393页
- 文件大小:11MB
- 文件页数:401页
- 主题词:
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图书目录
半导体器件的发展 王守武1
一、前言1
二、电子器件的结构与发展8
三、超大规模和甚大规模集成电路的发展35
四、光电器件与单块光电集成66
五、结束语88
参考文献89
一、前言98
MOS技术中的Si-SiO2界面物理 李志坚98
二、MOS结构的电特性102
三、Si-SiO2界面电子态研究122
四、氧化层中的陷阱和MOS结构的辐照效应147
五、相关的其他问题和对进一步工作的提示171
六、结束语173
参考文献174
半导体器件的数值模型 谈根林 王以铭182
一、前言182
二、基本半导体方程184
三、器件模拟的数值技术206
四、不等温器件分析229
五、异质结器件分析243
六、半导体器件的蒙特卡罗分析257
七、结束语273
参考文献274
异质结双极型晶体管 苏里曼283
一、前言283
二、晶格匹配285
三、异质结的形成289
四、异质结晶体管的能带设计293
五、异质结晶体管各区的材料选择312
六、异质结晶体管的结构设计322
七、异质结晶体管的制作工艺345
八、异质结晶体管的性能363
九、异质结晶体管集成电路378
十、结束语387
参考文献391