图书介绍

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现代半导体集成电路
  • 杨银堂,朱樟明,刘帘曦编著 著
  • 出版社: 北京:电子工业出版社
  • ISBN:9787121082542
  • 出版时间:2009
  • 标注页数:255页
  • 文件大小:59MB
  • 文件页数:271页
  • 主题词:半导体集成电路-集成电路工艺-高等学校-教材

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图书目录

第1章 集成电路器件与模型1

1.1 PN结与二极管1

半导体与PN结1

PN结二极管基本原理1

集成化的肖特基势垒二极管3

1.2 MOS晶体管及模型4

MOS晶体管基本工作原理4

MOS晶体管大信号模型及体效应6

MOS晶体管小信号模型8

NMOS晶体管的亚阈值特性9

MOS晶体管的短沟道效应10

1.3双极型晶体管及模型11

Bipolar晶体管基本工作原理11

Bipolar晶体管大信号模型14

Bipolar晶体管小信号模型14

1.4集成电路无源元件16

CMOS集成电容17

CMOS集成电阻18

1.5 MOS Spice器件模型19

Spice Level1模型19

Spice Leve12模型21

Spice Leve13模型21

Spice BSIM3V3模型22

习题一22

第2章 集成电路制造技术24

2.1集成电路基本制造技术24

硅晶圆的制造24

氧化技术25

扩散与离子注入25

2.2基本CMOS工艺与器件结构26

基本n阱/双阱CMOS工艺步骤26

CMOS版图设计规则28

2.3基本Bipolar工艺与器件结构29

PN结隔离与基本工序步骤29

Bipolar版图设计规则31

Bipolar工艺的光刻版次31

2.4基本BiCMOS工艺32

以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺32

以Bipolar工艺为基础的BiCMOS工艺34

典型的BiCMOS的光刻版次34

习题二35

第3章 晶体管—晶体管逻辑(TTL)电路36

3.1六管单元TTL与非门37

工作原理37

电压传输特性41

瞬态特性41

电路特点44

3.2 STTL和LSTTL电路44

STTL电路44

LSTTL电路46

3.3 TTL门电路逻辑扩展47

3.4简化逻辑门50

简化逻辑门50

单管逻辑门50

习题三54

第4章 发射极耦合逻辑与集成注入逻辑电路56

4.1 ECL电路56

基本工作原理56

射极耦合电流开关57

射极输出器57

参考电压源58

ECL逻辑扩展59

4.2 I 2L电路61

I 2L电路单元工作原理61

I 2L电路特性分析63

I 2L电路逻辑组合65

I 2L与TTL之间的接口电路66

4.3 ECL和I2 L工艺与版图设计69

ECL电路工艺与版图设计69

I 2L电路工艺与版图设计69

习题四71

第5章 双极模拟集成电路73

5.1 Bipolar基本放大器73

Darlington放大器73

双极差分放大器74

5.2 Bipolar基本模拟电路单元79

恒流源79

有源负载82

基准源电路83

5.3 Bipolar输出级电路87

射极跟随器输出电路87

AB类输出电路90

5.4 Bipolar运算放大器(μA741)92

习题五94

第6章 CMOS基本逻辑电路96

6.1 CMOS逻辑门电路96

CMOS反相器96

CMOS门电路99

CMOS组合逻辑电路101

6.2 CMOS传输门逻辑105

CMOS传输门105

CMOS传输门逻辑电路106

6.3 CMOS触发器107

CMOS RS触发器108

CMOS D触发器109

6.4 CMOS多米诺逻辑110

6.5 CMOS施密特触发器112

习题六113

第7章 CMOS数字电路子系统114

7.1 CMOS二进制加法器114

串行进位加法器115

超前进位加法器116

7.2 CMOS移位寄存器118

7.3 CMOS数字乘法器119

乘法器的运算原理119

并行乘法器119

流水线乘法器120

飞速乘法器121

7.4 CMOS算术逻辑单元(ALU)122

习题七123

第8章 现代半导体存储器124

8.1存储器的结构125

8.2掩模编程只读存储器(MaskROM)126

8.3可编程只读存储器(PROM)127

8.4可擦除可编程存储器(EPROM)128

8.5电可擦除可编程存储器(E2 PROM)128

8.6闪速存储器(Flash Memory)130

闪速存储器的结构及工作原理131

闪速存储器的可靠性问题134

深亚微米闪速存储器技术134

8.7 ROM的存取时间135

8.8静态随机存取存储器存储器135

SRAM存储单元结构及工作原理136

存储单元的主要参数137

8.9动态随机存取存储器(DRAM)138

DRAM的结构和基本原理138

DRAM的主要制造技术139

采用不同技术的DRAM140

习题八142

第9章 CMOS基本模拟电路143

9.1 CMOS基本模拟电路单元143

MOS模拟开关143

有源电阻145

电流沉和电流源电路146

电流镜电路147

9.2 CMOS基本模拟放大器148

共源放大器148

共漏放大器149

共栅放大器150

Cascode放大器151

9.3 CMOS差分放大器152

CMOS差分放大器的大信号特性152

CMOS差分放大器的小信号特性155

9.4 CMOS基准电压源和电流源156

简单基准源156

VT基准源157

带隙基准源158

习题九159

第10章 CMOS运算放大器161

10.1两级运算放大器161

两级CMOS运放的基本电路结构161

两级CMOS运放电路的补偿162

两级运算放大器的设计方法164

10.2高速CMOS运算放大器167

套筒式共源共栅运放结构167

折叠式共源共栅运放结构169

单级运放结构171

设计举例171

10.3 Rail-to-Rail CMOS运算放大器173

Rail-to-Rail输入级173

恒跨导Rail-to-Rail输入级174

Rail-to-Rail输出级设计174

设计举例177

习题十179

第11章 CMOS开关电容电路180

11.1 CMOS开关电容等效电阻180

并联型SC等效电阻电路180

其他SC等效电阻电路181

11.2 CMOS开关电容积分器电路182

11.3 CMOS开关电容滤波器182

滤波器工作原理183

开关电容滤波器设计方法183

一阶低通滤波器184

双二阶滤波器184

CMOS开关电容滤波器设计中应考虑部分实际因素186

习题十一186

第12章 CMOS数据转换器188

12.1 CMOS数据转换器的主要性能指标188

理想D/A转换器188

理想A/D转换器189

微分非线性误差(DNL)和积分非线性误差(INL)190

无杂波动态范围(SFDR)191

信号噪声比(SNR)191

谐波失真(HDk)191

总谐波失真(THD)191

信号噪声失调比(SNDR)192

有效位数(ENOB)192

有效分辨带宽(ERB)192

12.2 Nyquist CMOS数模转换器192

电阻分压型D/A转换器193

R-2R电流权重型D/A转换器193

权电容型D/A转换器194

电荷重分配型D/A转换器195

流水线D/A转换器196

12.3 Nyquist CMOS模数转换器197

并行A/D转换器197

两步式A/D转换器199

内插式A/D转换器200

折叠式A/D转换器201

流水线Pipeline A/D转换器202

逐次逼近式A/D转换器203

12.4 CMOS数据转换器的测试初步204

静态参数测试204

频域参数测试205

习题十二207

第13章 CMOS锁相环(PLL)208

13.1 PLL技术基础208

不同频率信号的相位关系209

捕获过程210

锁定过程211

13.2电荷泵PLL211

电荷泵锁相环的工作原理211

鉴频鉴相器的模型212

电荷泵和环路低通滤波器的数学模型213

压控振荡器的数学模型214

锁相环的系统数学模型215

13.3 PLL的非理想效应216

PFD/CP的非理想效应216

锁相环中的抖动216

13.4数字PLL217

数字锁相环基本原理217

N先于M滤波器218

习题十三219

第14章 集成电路版图设计220

14.1集成电路版图设计基础220

集成电路版图设计方法220

集成电路版图设计流程221

14.2 Bipolar集成电路版图设计222

Bipolar集成电路版图设计过程222

集成化Bipolar晶体管版图设计223

14.3 CMOS集成电路版图设计224

CMOS集成电路版图设计过程224

CMOS集成电路版图设计举例226

混合信号CMOS集成电路版图设计注意事项230

习题十四230

第15章 集成电路可靠性设计与可测性设计231

15.1集成电路可靠性设计231

集成电路可靠性231

集成电路设计中提高可靠性的措施232

集成电路的版图设计中提高可靠性的措施236

15.2集成电路可测性设计237

故障模型 (Fault Model)237

测试向量的产生239

集成电路边界扫描技术和标准——IEEE 1149.1240

习题十五242

第16章 片上系统(SoC)设计初步243

16.1 SoC设计方法学243

软硬件协同设计技术243

IP核设计技术245

超深亚微米集成电路设计技术245

16.2混合信号硬件描述语言Verilog—AMS246

模拟硬件描述语言Verilog—AMS246

基于Verilog—A的模拟电路行为模型247

基于Verilog—AMS的混合电路系统仿真249

16.3 SoC仿真技术250

16.4 SoC验证方法252

习题十六254

参考文献255

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