光电子器件PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载

光电子器件PDF格式电子书版下载

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

第1章 光电导探测器1

1．1光电子器件的基本特性1

光谱响应率和响应率1

最小可探测辐射功率和探测率4

光吸收系数5

1．2光电导探测器原理7

光电导效应7

光电导电流9

光电导增益10

光电导灵敏度11

光电导惰性和响应时间11

光电导的光谱响应特性13

电压响应率15

探测率Dλ17

1．3光敏电阻18

光敏电阻的结构18

光敏电阻的特性19

第2章 结型光电探测器23

2．1光生伏特效应23

PN结23

PN结光生伏特效应25

2．2光电池26

光电池的结构26

光电池的电流与电压27

光电池的主要特性28

2．3光电二极管31

PN结型光电二极管31

PIN型光电二极管35

雪崩型光电二极管（APD）37

2．4光电三极管40

光电三极管结构和工作原理40

光电三极管的主要性能参数41

第3章 光电阴极与光电倍增管43

3．1光电发射过程43

外光电效应43

金属的光谱响应44

半导体光电发射过程44

实用光电阴极47

3．2负电子亲和势光电阴极49

负电子亲和势光电阴极的原理49

NEA光电阴极中的电子传输过程51

NEA阴极的量子产额51

负电子亲和势阴极的工艺及结构55

3．3真空光电管56

真空光电管工作原理57

真空光电管的主要特性57

3．4光电倍增管59

光电倍增管结构和工作原理60

光电倍增管主要特性和参数63

光电倍增管的供电电路69

第4章 微光像增强器72

4．1像管的基本原理和结构72

光电阴极73

电子光学系统73

荧光屏77

光学纤维面板78

4．2像管主要特性分析79

像管的光谱响应特性79

像管的增益特性83

像管的光传递特性85

像管的背景特性86

像管的传像特性87

像管的时间响应特性88

空间分辨特性88

4．3红外变像管95

玻璃管型的红外变像管95

金属型红外变像管96

4．4第一代微光像增强器97

4．5微通道板99

通道电子倍增器99

微通道板的增益特性100

电流传递特性101

微通道板的噪声102

微通道板的噪声因子103

4．6第二代微光像增强器104

近贴式MCP像增强器104

静电聚焦式MCP像增强器105

第二代微光像增强器的优点106

第二代微光像增强器的缺点106

4．7第三代微光像增强器107

4．8第四代微光像增强器109

第5章 摄像管112

5．1摄像管的工作方式112

5．2摄像管的性能指标与评定113

摄像管的灵敏度113

摄像管的光电转换114

摄像管的分辨率116

摄像管的惰性119

摄像管的灰度119

5．3氧化铅光电导视像管120

氧化铅靶结构120

视像管的结构121

视像管的工作原理122

氧化铅视像管特性123

第6章 CCD和COMS成像器件126

6．1电荷耦合器件的基本原理126

MOS结构特征126

CCD的势阱深度和存储电荷能力128

电荷耦合原理130

6．2电荷耦合器件基本结构130

转移电极结构131

转移信道结构132

通道的横向限制134

输入结构135

输出结构136

6．3 CCD的主要特性137

6．4电荷耦合成像器件139

线阵电荷耦合成像器件139

面阵电荷耦合成像器件（ACCID）141

两种面型结构成像器件的比较142

扫描方式与读出转移动作145

6．5彩色CCD成像器件147

彩色摄像器件148

数码相机151

6．6 CMOS型成像器件的像素构造152

PN结光电二极管方式153

光电门＋FD方式154

掩埋型光电二极管＋FD方式155

6．7 CMOS成像器件的彩色像素157

6．8 CMOS与CCD图像器件的比较158

第7章 致冷型红外成像器件164

7．1 SPRITE红外探测器164

碲镉汞的性质164

SPRITE探测器的工作原理与结构165

SPRITE探测器的响应率168

7．2红外焦平面阵列的结构和工作原理171

红外探测的原理171

红外焦平面阵列特点172

红外焦平面阵列的材料172

混合式IRFPA之倒装式结构173

混合式IRFPA之Z平面结构174

单片式阵列之PtSi肖特基势垒IRFPA175

单片式阵列之异质结探测元IRFPA179

单片式阵列之MIS像元IRFPA179

准单片式阵列结构180

7．3 IRFPA的性能参数180

光伏型红外探测器的电压响应率181

光伏型红外探测器的噪声和探测率182

光子探测器的背景辐射限制183

IRFPA的其他特性简述187

7．4红外成像器件与材料的制备190

材料制备技术190

衬底的选择与制备191

PN结的制作193

第8章 微测辐射热计红外成像器件194

8．1热探测器的基本原理194

热探测器的基本原理194

热探测器的温度噪声限制196

8．2微测辐射热计的工作原理197

微测辐射热计的工作模式197

微测辐射热计的工作原理199

8．3微测辐射热计的结构201

8．4微测辐射热计的响应率205

微测辐射热计热平衡方程205

无偏置的热平衡方程的解206

加偏置的热平衡207

V—I曲线的计算208

负载线209

带偏置的微辐射计的低频噪声211

微辐射计性能的数值计算212

8．5微测辐射热计的噪声215

辐射计的电阻噪声215

偏置电阻的噪声217

热传导引起的温度噪声218

辐射噪声218

整个电噪声219

前置放大器噪声221

8．6微辐射计信噪比221

噪声等效功率（NEP）221

噪声等效温差（NETD）222

探测率222

与理想辐射计相比较223

Johnson噪声近似224

第9章 热释电探测器和成像器件225

9．1热释电探测器的基本原理225

热释电效应225

热释电探测器特性分析227

9．2热释电材料和探测器231

热释电材料231

热释电探测器的结构形式233

热释电探测器的特点234

9．3混合型热释电成像器件的设计235

热隔离以提高温度响应235

像素间热隔离以改进MTF236

斩波器的结构236

9．4单片热释电成像器件237

热释电薄膜材料238

隔离结构238

微机械加工传感器的制作流程设计238

热释电成像器件的集成电路240

第10章 紫外探测与成像器件243

10．1紫外光的特性243

紫外光波段的划分243

大气对紫外光的吸收244

紫外辐射源245

10．2紫外成像器件概述246

10．3紫外像增强器247

10．4 GaN的性质250

10．5 GaN和GaAlN材料的生长技术252

分子束外延252

有机金属化学气相沉积253

10．6器件的制作255

10．7紫外成像器件的基本结构256

PIN结构紫外探测器257

金属／（Al）GaN肖特基势垒结构259

ITO／N-GaN肖特基势垒结构259

金属—半导体—金属（MSM）紫外探测器260

第11章 X射线探测与成像器件263

11．1 X射线的特性263

X射线的产生263

X射线透过和吸收特性264

X射线量的表征265

11．2 X射线探测与成像器件的分类266

X射线成像器件的分类266

X射线计算机断层扫描技术269

11．3 X射线成像器件系统的性能指标269

11．4 CsI／MCP反射式X射线光电阴极271

反射式X光阴极的物理过程272

反射式X光阴极的量子效率273

11．5窗材料／阴极透射式X光阴极275

窗材料／阴极透射式X光阴极物理过程275

窗材料／阴极透射式X光阴极的量子效率275

11．6 X射线像增强器276

X射线像增强器的基本结构276

近贴型X射线像增强器277

11．7 X射线影像光电二极管阵列成像器件277

11．8直接数字X射线影像器件278

动态成像的直接转换探测器的结构278

动态成像的直接转换探测器的工作原理280

直接转换成像器件的分辨本领280

动态成像的直接转换探测器的灵敏度281

参考文献283