图书介绍

高温CMOS集成电路原理与实现PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载

高温CMOS集成电路原理与实现
  • 柯导明,陈军宁著 著
  • 出版社: 合肥:中国科学技术大学出版社
  • ISBN:731201237X
  • 出版时间:2000
  • 标注页数:145页
  • 文件大小:7MB
  • 文件页数:152页
  • 主题词:

PDF下载


点此进入-本书在线PDF格式电子书下载【推荐-云解压-方便快捷】直接下载PDF格式图书。移动端-PC端通用
种子下载[BT下载速度快]温馨提示:(请使用BT下载软件FDM进行下载)软件下载地址页直链下载[便捷但速度慢]  [在线试读本书]   [在线获取解压码]

下载说明

高温CMOS集成电路原理与实现PDF格式电子书版下载

下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。

建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台)。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用!后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载!

(文件页数 要大于 标注页数,上中下等多册电子书除外)

注意:本站所有压缩包均有解压码: 点击下载压缩包解压工具

图书目录

第0章 绪论1

0.1 高温CMOS集成电路的研究意义与发展1

0.2 本书内容简介3

第1章 MOS晶体管的基本原理5

1.1 MOSFET的基本原理5

1.1.1 MOSFET的结构与导电原理5

1.1.2 MOSFET的类型与CMOS工艺简介7

1.1.3 MOSFET的伏安特性10

1.2.1 理想硅表面物理13

1.2 MOSFET的阈值电压和伏安特性方程13

1.2.2 MOSFET的阈值电压16

1.2.3 载流子的漂移运动18

1.2.4 漏源电流公式19

1.3 MOSFET的大信号模型与小信号模型22

1.3.1 MOSFET的大信号等效电路22

1.3.2 MOSFET的小信号等效电路24

1.4 短沟道MOSFET的特性26

1.4.1 短沟道MOSFET的阈值电压26

1.4.2 短沟道MOSFET的漏源电流28

2.1.1 MOSFET的阈值电压温度系数29

第2章 高温MOS晶体管的电学特性29

2.1 本征MOSFET的高温特性29

2.1.2 MOSFET的迁移率32

2.1.3 MOSFET的沟长调制效应32

2.1.4 按比例缩小的温度效应35

2.1.5 本征MOSFET的高温伏安特性37

2.2 高温MOSFET的等效电路39

2.2.1 高温MOSFET的直流等效电路和大信号等效电路39

2.2.2 高温MOSFET的小信号等效电路42

2.2.3 高温MOSFET小信号电路的寄生电容及泄漏电导46

2.2.4 高温MOSFET的电压放大能力及截止频率53

2.3 高温MOSFET的二级效应55

2.3.1 高温MOSFET亚阈值区域的特性55

2.3.2 短沟道MOSFET的阈值电压温度系数57

第3章 高温CMOS集成电路设计59

3.1 高温CMOS反相器的直流传输特性59

3.1.1 高温CMOS反相器的大信号等效电路59

3.1.2 本征CMOS反相器的高温直流传输特性61

3.1.3 高温CMOS反相器直流传输特性I:ARpJRp>ARnJRn65

3.1.4 高温CMOS反相器直流传输特性Ⅱ:ARpJRp<ARnJRn69

3.1.5 高温CMOS反相器直流噪声容限70

3.2 高温CMOS反相器的瞬态特性72

3.2.1 高温CMOS反相器的瞬态特性等效电路72

3.2.2 高温CMOS反相器的开关时间74

3.2.3 高温CMOS反相器的开关特性分析76

3.2.4 高温CMOS反相器的传输延迟时间78

3.3 高温CMOS门电路及高温极限79

3.3.1 高温CMOS门电路的设计79

3.3.2 高温CMOS电路的自锁效应81

3.3.3 高温CMOS电路的实现85

3.4 高温CMOS模拟集成电路直流偏置与设计规则87

3.4.1 零温度系数偏置点存在的必要条件87

3.4.2 ZTC点栅偏置电压方程89

3.4.3 偏置在ZTC点MOSFET的小信号参数92

3.4.4 高温MOS模拟集成电路的设计规则93

3.5 高温CMOS模拟集成电路设计95

3.5.1 偏置电压的产生95

3.5.2 差分输入级设计98

3.5.3 高温CMOS单级放大器特性102

3.5.4 高温CMOS电路输出级特性105

3.6 高温CMOS运算放大器的频率补偿107

3.6.1 高温CMOS运算放大器的频率特性107

3.6.2 高温CMOS运算放大器的频率补偿111

3.6.3 高温CMOS运算放大器的设计与可靠性113

第4章 高温功率MOS和SOI MOS器件与集成电路114

4.1 横向双扩散MOS的高温特性114

4.1.1 LDMOS的高温等效电路114

4.1.2 LDMOS的E管温度特性115

4.1.3 高压LDMOS的高温特性117

4.1.4 高温LDMOS的导通电阻与最大输出功率120

4.2 SOI CMOS电路器件122

4.2.1 SOI CMOS器件与电路简述122

4.2.2 高温SIMOX MOST的本征参数124

4.2.3 泄漏电流及亚阈值电流127

4.3 高温、高压、大功率半导体材料及器件129

4.3.1 高温、耐高压、大功率半导体材料和器件的电导率与优值指数129

4.3.2 高温、大功率器件的泄漏电流及影响133

4.3.3 高温、大功率器件的优值指数139

参考文献142

热门推荐