图书介绍
宽禁带化合物半导体材料与器件PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 朱丽萍，何海平编著 著
- 出版社： 杭州：浙江大学出版社
- ISBN：7308157469
- 出版时间：2016
- 标注页数：185页
- 文件大小：71MB
- 文件页数：194页
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图书目录
第1章 绪论1
1.1 宽带隙半导体概念1
1.2 常见宽禁带化合物半导体1
参考文献3
第2章 化合物半导体材料基础4
2.1 半导体4
2.2 半导体材料的分类5
2.2.1 元素半导体5
2.2.2 化合物半导体7
2.2.3 半导体固溶体8
2.3 化合物半导体的特性9
2.3.1 化合物半导体的晶体结构和化合键9
2.3.2 化合物半导体的能带结构10
参考文献18
第3章 化合物半导体中的缺陷19
3.1 缺陷理论基础19
3.1.1 点缺陷的分类19
3.1.2 点缺陷的符号表示方法20
3.1.3 点缺陷在半导体中的施主或受主作用及它们的能级位置21
3.2 ZnO中的杂质与缺陷23
3.2.1 ZnO中的本征点缺陷23
3.2.2 ZnO中绿色发光起源26
3.2.3 ZnO中的故意掺杂27
参考文献31
第4章 宽带隙半导体发光33
4.1 半导体中的光跃迁33
4.1.1 半导体吸收跃迁35
4.1.2 半导体中的带间跃迁辐射复合发光35
4.2 激子36
4.3 半导体发光光谱和辐射复合38
4.4 激子复合40
4.5 深能级中心相关的发光跃迁43
4.6 时间分辨发光光谱44
4.7 宽带隙半导体材料发光研究实例45
参考文献46
第5章 pn结48
5.1 同质结48
5.1.1 热平衡状态下的pn结48
5.1.2 pn结的伏安特性50
5.2 异质结52
5.2.1 异质结的能带图52
5.2.2 异型异质结的电学特性55
参考文献58
第6章 超晶格与量子阱59
6.1 超晶格和量子阱发展概况59
6.2 量子阱61
6.3 超晶格61
6.3.1 复合超晶格62
6.3.2 掺杂超晶格63
6.3.3 应变超晶格64
6.3.4 多维超晶格65
6.4 量子阱与超晶格的实验制备方法66
6.5 超晶格和量子阱中的物理基础66
6.5.1 半导体中的两类载流子：电子（n）与空穴（p）66
6.5.2 超晶格和量子阱的能带结构66
6.5.3 量子阱与超晶格中的电子态68
6.5.4 超晶格中的电子状态71
6.6 超晶格和量子阱中的物理效应72
6.6.1 量子约束效应72
6.6.2 量子阱中的激子效应73
6.6.3 量子受限的斯塔克效应（QCSE）73
6.6.4 电场下超晶格中的Wannier-Stark局域态73
6.6.5 二维电子气74
6.7 超晶格和量子阱器件75
6.7.1 量子阱激光器发展历程75
6.7.2 垂直腔面发射激光器76
6.7.3 新型的量子阱激光器78
6.7.4 主要应用79
参考文献83
第7章 SiC85
7.1 SiC的基本性质85
7.1.1 物理性质和化学性质85
7.1.2 晶体结构85
7.1.3 电学性能和能带结构87
7.2 SiC材料生长、掺杂与缺陷88
7.2.1 SiC体单晶生长89
7.2.2 SiC薄膜生长91
7.2.3 SiC纳米结构95
7.2.4 SiC的掺杂98
7.2.5 SiC材料中的缺陷99
7.3 SiC电子器件101
7.3.1 SiC肖特基接触理论101
7.3.2 肖特基势垒二极管（SBD）及其改进结构器件（JBD、MPS）102
7.3.3 SiC场效应晶体管105
7.3.4 SiC双极型晶体管（BJT）107
7.4 SiC传感器件108
7.4.1 SiC的压阻效应108
7.4.2 SiC材料在气敏传感器中的应用110
7.4.3 SiC材料在光电探测器中的应用110
参考文献111
第8章 GaN116
8.1 概述116
8.2 GaN的基本性质116
8.2.1 物理和化学特性116
8.2.2 晶体结构117
8.2.3 电学性质和掺杂119
8.2.4 光学性质120
8.2.5 GaN与其他Ⅲ族氮化物合金121
8.3 GaN材料制备121
8.3.1 GaN体单晶的生长121
8.3.2 GaN薄膜外延生长衬底材料的选择123
8.3.3 GaN外延生长技术125
8.4 GaN光电器件126
8.4.1 GaN基LED127
8.4.2 GaN基LD129
8.4.3 GaN基紫外探测器130
8.4.4 GaN基电子器件131
参考文献132
第9章 ZnO138
9.1 ZnO材料概述138
9.1.1 ZnO的基本性质和能带工程138
9.1.2 ZnO中的杂质与缺陷140
9.1.3 ZnO的电学性能及p型掺杂142
9.1.4 ZnO的p型掺杂研究现状144
9.2 传统及新颖的ZnO制备技术146
9.2.1 ZnO体单晶146
9.2.2 ZnO薄膜147
9.2.3 ZnO纳米结构147
9.3 ZnO基光电器件150
9.3.1 纳米结构的掺杂与接触150
9.3.2 同质结LED151
9.3.3 异质结LED153
9.3.4 激光二极管（LDs）158
9.3.5 光电探测器（PDs）159
9.3.6 光伏太阳能电池160
9.4 ZnO基透明导电薄膜和场效应器件163
9.5 ZnO基压电器件167
9.6 ZnO基传感器件168
9.7 ZnO基自旋器件170
9.8 ZnO基光催化材料171
9.9 小结172
参考文献173
缩略词182