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第1章 晶体二极管1

1.1 半导体物理基础知识2

1.1.1 本征半导体2

1.1.2 杂质半导体4

1.1.3 两种导电机理——漂移和扩散7

1.1.4 小结11

1.2 PN结11

1.2.1 动态平衡下的PN结12

1.2.2 PN结的伏安特性14

1.2.3 PN结的击穿特性17

1.2.4 PN结的温度特性19

1.2.5 PN结的电容特性20

1.2.6 PN结的开关特性22

1.2.7 小结24

1.3 晶体二极管电路的分析方法24

1.3.1 晶体二极管模型24

1.3.2 晶体二极管电路分析方法28

1.4 晶体二极管的应用33

1.4.1 整流与稳压电路33

1.4.2 限幅和钳位电路36

1.4.3 二极管与门、或门39

1.5 其它二极管41

1.5.1 肖特基表面势垒二极管41

1.5.2 光电二极管42

习题44

附录 PSPICE电路分析49

第2章 晶体三极管53

2.1 晶体三极管的工作原理54

2.1.1 内部载流子的传输过程54

2.1.2 电流传输方程56

2.2 晶体三极管模型59

2.2.1 埃伯尔斯－莫尔模型59

2.2.2 晶体三极管的共射等效电路模型61

2.2.3 晶体三极管的伏安特性曲线66

2.2.4 晶体三极管的频率参数71

2.3 晶体三极管电路分析方法73

2.3.1 图解分析法74

2.3.2 等效电路分析法76

2.4 晶体三极管的应用原理81

2.4.1 电流源81

2.4.2 放大器82

2.4.3 跨导线性电路86

2.4.4 TTL电路89

2.5 集成工艺90

2.5.1 集成工艺的标准流程91

2.5.2 集成元器件95

2.5.3 集成元器件的特点99

2.5.4 SiGe-HBT工艺99

习题101

附录 PSPICE电路分析106

第3章 场效应管111

3.1 MOS场效应管111

3.1.1 EMOS场效应管结构111

3.1.2 EMOS场效应管工作原理112

3.1.3 EMOS场效应管特性116

3.1.4 耗尽型MOS（DMOS）场效应管118

3.1.5 场效应管等效电路119

3.1.6 BSIM3模型125

3.1.7 场效应管器件小结126

3.2 结型场效应管127

3.2.1 工作原理128

3.2.2 伏安特性曲线129

3.3 场效应管和双极型管比较131

3.4 场效应管应用原理132

3.4.1 有源电阻133

3.4.2 MOS开关134

3.4.3 逻辑门电路138

3.5 集成工艺143

3.5.1 标准CMOS工艺143

3.5.2 BiCMOS工艺147

习题149

附录 PSPICE电路分析154

第4章 放大器基础159

4.1 放大器的基本概念159

4.1.1 放大的原理和实质159

4.1.2 放大器的性能指标162

4.2 基本放大器170

4.2.1 共源、共栅和共漏放大器性能170

4.2.2 共射、共基和共集放大器的性能175

4.2.3 集成MOS放大器183

4.2.4 组合放大器（Combination Amplifier）188

4.3 差分放大器190

4.3.1 电路结构190

4.3.2 性能特点191

4.3.3 电路两边不对称对性能的影响198

4.3.4 差模传输特性203

4.4 电流源电路及其应用208

4.4.1 镜像电流源电路208

4.4.2 其它改进型电流源电路214

4.4.3 电流源的应用215

4.5 多级放大器218

4.5.1 多级放大器的基本问题218

4.5.2 多级放大器的性能指标计算224

4.5.3 一个实际的多级放大器225

4.6 放大器的频率响应230

4.6.1 复频域分析方法230

4.6.2 共源、共射放大器的频率特性237

4.6.3 其它组态放大器的频率响应242

4.6.4 宽带放大器244

4.7 放大器的噪声248

4.7.1 起伏噪声的来源248

4.7.2 放大器噪声分析250

习题254

附录 PSPICE电路分析275

第5章 放大器中的负反馈284

5.1 反馈放大器的基本概念285

5.1.1 反馈放大器的组成285

5.1.2 四种类型负反馈放大器286

5.1.3 反馈放大器的判别288

5.2 负反馈对放大器性能的影响292

5.2.1 输入电阻292

5.2.2 增益及其稳定性292

5.2.3 输出电阻295

5.2.4 失真和噪声297

5.3 负反馈放大器的性能分析298

5.3.1 负反馈放大器的分析方法298

5.3.2 负反馈放大器分析举例302

5.3.3 深度负反馈305

5.4 负反馈放大器的稳定性306

5.4.1 判别稳定性的准则307

5.4.2 集成运放的相位补偿技术311

习题318

附录 PSPICE电路分析324

第6章 集成运算放大器及其应用电路326

6.1 集成运算放大器326

6.1.1 集成运放概述326

6.1.2 MOS运放核心电路327

6.2 集成运放应用电路的组成原理330

6.2.1 集成运放的理想化条件331

6.2.2 集成运放应用电路的分类332

6.2.3 集成运放的基本应用电路333

6.3 集成运放应用电路334

6.3.1 闭环应用334

6.3.2 开环应用348

6.3.3 混合应用354

6.4 集成运放的性能参数及其对应用电路的影响357

6.4.1 集成运放性能参数及宏模型357

6.4.2 直流和低频参数对性能的影响360

6.4.3 高频参数对性能的影响364

6.5 高精度和高速宽带集成运放368

6.5.1 高精度集成运放368

6.5.2 高速宽带集成运放373

习题382

附录 PSPICE电路分析391

主要参考书目396