图书介绍
现代集成电路半导体器件PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- （美）胡正明著；王燕，张莉，叶佐昌等译 著
- 出版社： 北京：电子工业出版社
- ISBN：9787121176623
- 出版时间：2012
- 标注页数：260页
- 文件大小：41MB
- 文件页数：273页
- 主题词：集成电路－半导体器件－高等学校－教材
PDF下载
下载说明
现代集成电路半导体器件PDF格式电子书版下载
下载的文件为RAR压缩包。需要使用解压软件进行解压得到PDF格式图书。建议使用BT下载工具Free Download Manager进行下载,简称FDM(免费,没有广告,支持多平台）。本站资源全部打包为BT种子。所以需要使用专业的BT下载软件进行下载。如BitComet qBittorrent uTorrent等BT下载工具。迅雷目前由于本站不是热门资源。不推荐使用！后期资源热门了。安装了迅雷也可以迅雷进行下载！
（文件页数 要大于 标注页数，上中下等多册电子书除外）
注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具
图书目录
第1章 半导体中的电子和空穴1
1.1 硅的晶体结构2
1.2 电子和空穴的成键模型3
1.3 能带模型5
1.4 半导体、绝缘体和导体7
1.5 电子和空穴8
1.6 态密度10
1.7 热平衡与Fermi函数11
1.8 电子和空穴的浓度13
1.9 n和p的通用理论17
1.10 在极端温度下的载流子浓度20
1.11 本章小结21
习题21
参考文献23
相关阅读资料24
第2章 电子和空穴的运动与复合25
2.1 热运动25
2.2 漂移27
2.3 扩散电流32
2.4 能带图与V、？的关系34
2.5 D和μ之间的爱因斯坦关系34
2.6 电子-空穴复合36
2.7 热产生37
2.8 准平衡和准Fermi能级37
2.9 本章小结39
习题40
参考文献41
相关阅读资料41
第3章 器件制造技术42
3.1 器件制造简介42
3.2 硅的氧化43
3.3 光刻45
3.4 图形转移——刻蚀49
3.5 掺杂50
3.6 掺杂剂的扩散53
3.7 薄膜淀积54
3.8 互连——后端工序58
3.9 测试、组装与合格鉴定60
3.10 本章小结——一个器件的制造实例61
习题62
参考文献64
相关阅读资料64
第4章 PN结和金属-半导体结65
第1部分：PN结65
4.1 PN结的理论基础65
4.2 耗尽层模型68
4.3 反偏PN结70
4.4 电容-电压特性71
4.5 结击穿73
4.6 正向偏置时的载流子注入——准平衡边界条件75
4.7 电流连续性方程78
4.8 正偏PN结中的过剩载流子79
4.9 PN结二极管的I-V特性81
4.10 电荷存储84
4.11 二极管的小信号模型85
第2部分：PN结在光电器件中的应用85
4.12 太阳能电池85
4.13 发光二极管和固态照明90
4.14 二极管激光器93
4.15 光电二极管97
第3部分：金属-半导体结97
4.16 Schottky势垒97
4.17 热发射理论100
4.18 Schottky二极管100
4.19 Schottky二极管的应用102
4.20 量子力学隧道效应103
4.21 欧姆接触103
4.22 本章小结106
习题108
参考文献113
相关阅读资料114
第5章 MOS电容115
5.1 平带条件和平带电压116
5.2 表面积累117
5.3 表面耗尽119
5.4 阈值电压120
5.5 高于阈值的强反型121
5.6 MOS结构的C-V特性124
5.7 氧化层电荷——对Vfb和Vt的修正128
5.8 多晶硅栅的耗尽——等效Tox的增大130
5.9 反型层和积累层厚度以及量子力学效应131
5.10 CCD和CMOS成像传感器133
5.11 本章小结137
习题139
参考文献144
相关阅读资料144
第6章 MOSFET晶体管145
6.1 MOSFET简介145
6.2 互补MOS（CMOS）工艺147
6.3 表面迁移率和高迁移率FET149
6.4 MOSFET的Vt，体效应和超陡倒掺杂154
6.5 MOSFET中的Qinv156
6.6 基本MOSFET的电流电压模型157
6.7 CMOS反相器——电路实例160
6.8 速度饱和163
6.9 速度饱和下的MOSFET的电压电压模型165
6.10 寄生源漏电阻168
6.11 串联电阻和等效沟道长度的提取169
6.12 速度过冲和源区速度极限171
6.13 输出电导172
6.14 高频性能172
6.15 MOSFET的噪声174
6.16 SRAM,DRAM和非易失性（FLASH）存储器件177
6.17 本章小结183
习题185
参考文献191
相关阅读资料192
第7章 IC中的MOSFET——按比例缩小、漏电及其他问题193
7.1 按比例缩小工艺——成本、速度及功耗193
7.2 亚阈值区电流——“关”不是完全“关”196
7.3 Vt下降——短沟MOSFET漏电更多199
7.4 减小栅绝缘层的电学厚度和隧穿电流201
7.5 如何减小Wdep203
7.6 浅结及金属源／漏MOSFET204
7.7 Ion和Ioff之间的折中以及可制造性设计205
7.8 超薄体SOI及多栅MOSFET206
7.9 输出电导211
7.10 器件模拟和工艺模拟211
7.11 用于电路模拟的MOSFET集约模型212
7.12 本章小结213
习题214
参考文献215
相关阅读资料216
第8章 双极型晶体管217
8.1 双极型晶体管简介217
8.2 集电极电流218
8.3 基极电流221
8.4 电流增益222
8.5 由集电极电压导致的基区宽度调制225
8.6 Ebers-Moll模型227
8.7 渡越时间与电荷存储228
8.8 小信号模型231
8.9 截止频率233
8.10 电荷控制模型235
8.11 大信号电路模拟模型236
8.12 本章小节237
习题239
参考文献241
相关阅读资料241
附录A 态密度的推导242
附录B Feimi-Dirac分布函数的推导244
附录C 少数载流子假设的自洽性246
部分习题的答案248
索引250