图书介绍
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- 顾祖毅等著 著
- 出版社： 北京：电子工业出版社
- ISBN：7505327348
- 出版时间：1995
- 标注页数：357页
- 文件大小：18MB
- 文件页数：371页
- 主题词：
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图书目录
出版说明1
前言1
符号表1
第一章 半导体的晶体结构和缺陷1
1.1 半导体的基本特性与常见半导体材料1
1.2 半导体的晶体结构4
1.3 半导体中的晶体缺陷11
1.4 表面结构的弛豫和重构23
参考文献27
习题28
2.1 半导体中的电子状态和能带31
第二章 半导体中的电子状态31
2.2 外力作用下电子的运动36
2.3 金属、半导体和绝缘体40
2.4 空穴42
2.5 常见半导体的能带结构43
2.6 杂质和缺陷能级55
2.7 重掺杂半导体66
参考文献67
习题69
第三章 平衡载流子浓度71
3.1 态密度71
3.2 费米分布和玻尔兹曼分布72
3.3 非简并半导体的载流子浓度74
3.4 简并半导体84
附录3.186
参考文献88
习题88
第四章 弱场下的载流子输运89
4.1 载流子的散射和迁移率89
4.2 电导、霍尔效应和磁阻99
4.3 半导体的热电现象106
4.4 输运效应的统计计算112
附录4.1123
参考文献124
习题125
第五章 过剩载流子及其复合127
5.1 过剩载流子及其寿命127
5.2 非平衡载流子的运动和空间分布131
5.3 复合过程与寿命的计算141
5.4 主要复合机理和实验结果146
5.5 陷阱效应152
参考文献154
习题155
第六章 同质p-n结157
6.1 热平衡条件下的p-n结157
6.2 p-n结直流伏安特性163
6.3 p-n结电容173
6.4 p-n结击穿180
6.5 隧道p-n结183
参考文献185
习题186
第七章 表面电场效应与MOS物理189
7.1 半导体表面和硅-二氧化硅界面189
7.2 表面电场效应193
7.3 表面空间电荷区的理论计算200
7.4 实际MOS结构的C-V特性207
7.5 表面复合213
7.6 表面电导和沟道迁移率215
7.7 表面量子化219
7.8 半导体表面和界面参数的测量221
参考文献227
习题227
第八章 金属-半导体接触和半导体异质结229
8.1 金属-半导体接触229
8.2 半导体异质结240
8.3 半导体超晶格和多量子阱249
习题253
第九章 热载流子效应255
9.1 强电场下的非线性电导255
参考文献262
9.2 电子在等效能谷间的再分布263
9.3 非等效能谷间的电子转移效应265
9.4 热载流子的扩散270
9.5 反型层中的热载流子272
参考文献273
习题273
第十章 半导体的光学性质和光电效应275
10.1 半导体的光学常数275
10.2 半导体中的光吸收279
10.3 半导体中的光电导289
10.4 半导体中的光发射298
10.5 半导体激光305
10.6 光生伏特效应和光磁效应311
附录10.1315
参考文献318
习题319
第十一章 非晶态半导体321
11.1 非晶态半导体的结构特点321
11.2 非晶态半导体中的电子状态和能带326
11.3 非晶态半导体的电学性质337
11.4 非晶态半导体的光学性质346
参考文献354
习题356
附表1 基本物理常数357
附表2 半导体(Ge、Si、GaAs的性质 )(300K)357