图书介绍
III-V氮化物纳米材料的制备及性能研究PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 曹传宝著 著
- 出版社： 哈尔滨：哈尔滨工业大学出版社
- ISBN：9787560358024
- 出版时间：2017
- 标注页数：325页
- 文件大小：30MB
- 文件页数：336页
- 主题词：氮化物－纳米材料－制备－研究；氮化物－纳米材料－性能－研究
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图书目录
第1章 Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体材料简介1
1.1 GaN、AlN和InN的结构与性能1
1.2 一维Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体纳米材料研究现状3
1.3 本章小结7
参考文献7
第2章 气相反应制备GaN纳米线的催化效应15
2.1 引言15
2.2 金属催化的化学气相沉积制备GaN纳米线17
2.3 催化剂前驱体浓度与GaN纳米线生长的关系24
2.4 以金膜作为催化剂前驱体生长GaN纳米线27
2.5 本章小结35
参考文献36
第3章 GaN纳米带和纳米带环的生长与形成机理40
3.1 引言40
3.2 GaN纳米带与纳米带环结构的生长41
3.3 纳米带的形成机理51
3.4 纳米带环的形成机理53
3.5 生长条件对最终产物形貌的影响54
3.6 不同纳米结构所受内应力对比57
3.7 本章小结59
参考文献60
第4章 碳热辅助法控制生长GaN低维结构65
4.1 引言65
4.2 利用碳热还原路线大量制备GaN纳米线66
4.3 反应温度对纳米线生长取向的影响73
4.4 碳含量对纳米线生长的影响75
4.5 GaN微棱锥的生长与表征78
4.6 反应条件对产物结构的影响84
4.7 GaN棱锥的大量控制制备与表征86
4.8 本章小结102
参考文献104
第5章 定向排列的孪晶GaN纳米线的制备与表征110
5.1 引言110
5.2 实验部分111
5.3 结果与讨论113
5.4 本章小结120
参考文献121
第6章 GaN纳米柱阵列的制备及表征124
6.1 引言124
6.2 实验部分125
6.3 结果与讨论126
6.4 本章小结135
参考文献135
第7章 Fe、Co掺杂GaN纳米线的制备及性能研究139
7.1 引言139
7.2 实验部分140
7.3 Fe掺杂GaN纳米线的结果分析142
7.4 Co掺杂GaN纳米线的结果分析151
7.5 本章小结158
参考文献159
第8章 GaN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究162
8.1 引言162
8.2 实验部分164
8.3 GaN纳米晶的结果分析165
8.4 GaN:Mn纳米晶的结果分析171
8.5 其他GaN:TM纳米晶的结果分析178
8.6 本章小结182
参考文献183
第9章 GaN纳米晶体及其复合材料的制备及性能186
9.1 溶胶凝胶方法制备GaN纳米晶186
9.2 GaN量子点／PMMA复合材料的制备与光学性质197
9.3 GaN量子点／二氧化硅干凝胶复合材料的制备及表征207
9.4 本章小结216
参考文献217
第10章 GaN的理论模拟研究227
10.1 立方GaN的结构、弹性常数及振动性能的模拟计算227
10.2 六方GaN的电学、力学、光学性能的理论计算236
10.3 Co掺杂的立方GaN的电、磁、光性能模拟248
10.4 本章小结253
参考文献255
第11章 AlN纳米结构的可控制备与表征268
11.1 引言268
11.2 实验部分269
11.3 结果与讨论271
11.4 本章小结279
参考文献280
第12章 单晶InN纳米线的制备及表征283
12.1 引言283
12.2 实验部分284
12.3 结果与讨论286
12.4 本章小结290
参考文献290
第13章 InN及其稀磁半导体纳米晶的制备与性能研究293
13.1 引言293
13.2 实验部分295
13.3 InN纳米晶的结果分析298
13.4 InN:Mn纳米晶的结果分析304
13.5 其他InN:TM纳米晶的结果分析311
13.6 本章小结316
参考文献317
名词索引320