图书介绍
低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 陈国祥，王豆豆著 著
- 出版社： 北京：中国石化出版社
- ISBN：9787511446381
- 出版时间：2017
- 标注页数：106页
- 文件大小：19MB
- 文件页数：114页
- 主题词：氮化镓－纳米材料－研究
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图书目录
第1章 概述1
1.1 纳米材料的分类及基本效应2
1.2 纳米材料的制备方法5
1.3 纳米材料的应用6
1.4 纳米材料的发展趋势7
1.5 碳纳米管8
1.6 石墨烯及其纳米带13
1.7 GaN纳米材料15
参考文献23
第2章 理论计算基础29
2.1 第一性原理理论基础29
2.2 密度泛函理论33
2.3 交换关联泛函的简化35
2.4 密度泛函理论的数值计算方法38
2.5 第一性原理计算的软件实现42
参考文献43
第3章 过渡金属纳米线填充GaN纳米管的结构、电子特性和磁性46
3.1 引言46
3.2 计算方法和模型48
3.3 过渡金属纳米线填充GaN纳米管的结构稳定性49
3.4 过渡金属纳米线填充GaN纳米管的电子特性50
3.5 过渡金属纳米线填充GaN纳米管的自旋极化率和磁学性质53
3.6 小结54
参考文献54
第4章 GaN纳米带的结构和电子性质58
4.1 引言58
4.2 计算方法和模型59
4.3 计算结果与讨论60
4.4 小结71
参考文献72
第5章 过渡金属吸附二维GaN单层纳米片的电子结构和磁性74
5.1 引言74
5.2 计算方法和模型75
5.3 过渡金属吸附GaN单层纳米片的几何结构和稳定性76
5.4 过渡金属吸附GaN单层纳米片的磁性和自旋电荷密度78
5.5 过渡金属吸附GaN单层纳米片的电子性质80
5.6 小结81
参考文献82
第6章 过渡金属掺杂GaN单层纳米片磁性起源机理84
6.1 引言84
6.2 计算方法和模型89
6.3 过渡金属掺杂GaN单层纳米片的结构稳定性90
6.4 过渡金属掺杂GaN单层纳米片的磁性和自旋电荷密度91
6.5 过渡金属掺杂GaN单层纳米片的电子性质和磁性起源机理92
6.6 小结95
参考文献95
第7章 二维GaN/SiC纳米片：界面电子和磁学特性以及电场响应98
7.1 引言98
7.2 计算方法98
7.3 GaN/SiC异质结的几何结构和界面稳定性99
7.4 GaN/SiC界面的电子性质100
7.5 GaN/SiC界面的磁学特性101
7.6 GaN/SiC界面对电场的响应102
7.7 小结102
参考文献103
第8章 结束语105