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第1章 研究概述1

1.1 研究背景1

1.1.1 技术概况3

1.1.2 产业现状5

1.1.3 行业需求9

1.2 研究对象和方法11

1.2.1 技术分解12

1.2.2 数据检索12

1.2.3 查全率、查准率评估13

1.2.4 相关事项约定14

第2章 芯片制造工艺专利现状分析16

2.1 概述16

2.1.1 外延工艺简述16

2.1.2 光刻工艺简述16

2.1.3 刻蚀工艺简述17

2.1.4 掺杂工艺简述17

2.1.5 铜互连工艺简介17

2.2 全球专利申请状况18

2.2.1 全球专利申请态势分析18

2.2.2 全球主要申请人分析20

2.2.3 专利申请国别地区分布23

2.3 中国专利申请状况27

2.3.1 中国专利申请态势分析27

2.3.2 中国主要申请人分析29

2.3.3 法律状态分析31

2.4 小结与建议32

第3章 光刻技术专利现状分析34

3.1 概述34

3.2 浸没式光刻技术的专利分析35

3.2.1 全球专利申请状况35

3.2.2 中国专利申请状况37

3.3 多重图形光刻技术的专利分析39

3.3.1 全球专利申请状况40

3.3.2 中国专利申请状况49

3.4 电子束光刻技术的专利现状51

3.4.1 全球专利申请状况52

3.4.2 中国专利申请状况55

3.5 小结与建议59

第4章 先进逻辑器件结构及其制造工艺专利现状分析61

4.1 FinFET技术的专利现状61

4.1.1 概述61

4.1.2 全球专利申请态势分析62

4.1.3 中国专利申请态势分析67

4.1.4 FinFET技术发展路线68

4.2 FDSOI技术的专利现状72

4.2.1 概述72

4.2.2 全球专利申请态势分析72

4.2.3 中国专利申请态势分析79

4.2.4 FDSOI技术技术发展路线83

4.3 NWFET技术的专利现状84

4.3.1 概述84

4.3.2 全球专利申请态势分析85

4.3.3 中国专利申请态势分析92

4.4 小结与建议95

第5章 3D NAND制造工艺的专利现状分析98

5.1 概述98

5.2 全球专利申请态势分析98

5.2.1 申请趋势分析98

5.2.2 主要技术分布99

5.2.3 重要申请人分析105

5.2.4 重要发明人分析110

5.3 中国专利申请态势分析116

5.3.1 申请趋势分析116

5.3.2 主要申请人分析117

5.4 技术发展路线118

5.4.1 三星118

5.4.2 东芝135

5.4.3 海力士164

5.5 非实体生产公司专利布局168

5.6 小结与建议174

第6章 攻防分析177

6.1 旺宏与飞索177

6.1.1 旺宏专利状况177

6.1.2 飞索专利状况181

6.1.3 旺宏与飞索专利诉讼183

6.1.4 专利比对183

6.1.5 小结与建议189

6.2 海力士与东芝189

6.2.1 海力士专利状况189

6.2.2 东芝专利状况190

6.2.3 战略联盟190

6.2.4 海力士与东芝／闪迪专利诉讼190

6.2.5 专利比对191

6.2.6 小结与建议196

第7章 结论197

7.1 主要结论197

7.1.1 晶圆处理工序及其关键步骤197

7.1.2 先进逻辑器件及其制造工艺198

7.1.3 3D NAND存储器件及其制造工艺199

7.1.4 攻防分析201

7.2 主要建议201

7.2.1 企业建议201

7.2.2 行业建议203

附录204

图索引243

表索引249