集成电路设计与九天EDA工具应用PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载

集成电路设计与九天EDA工具应用PDF格式电子书版下载

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

第1章集成电路设计导论1

1.1集成电路的发展1

目 录1

1.2集成电路的分类2

1.2.1按器件结构类型分类2

1.2.2按集成度分类3

1.2.3按使用的基片材料分类3

1.2.5按应用领域分类4

1.3集成电路设计步骤4

1.2.4按电路的功能分类4

1.4集成电路设计方法6

1.4.1 全定制方法（Full-Custom Design Approach）7

1.4.2 半定制方法（Semi-Custom Design Approach）7

1.5电子设计自动化技术概论12

1.5.1 Cadence EDA软件12

1.5.2 Synopsys EDA软件13

1.5.3 Mentor EDA软件13

1.5.4 Zeni EDA软件13

1.6九天系统综述13

1.7本书结构16

思考题与习题17

参考文献17

第2章集成电路材料、结构与理论18

2.1引言18

2.2集成电路材料18

2.3半导体基础知识19

2.3.1半导体的晶体结构19

2.3.2本征半导体与杂质半导体19

2.3.3半导体的特性20

2.4 PN结与结型二极管21

2.4.1 PN结的形成21

2.4.2 PN结型二极管特性22

2.4.3肖特基结二极管23

2.4.4欧姆型接触23

2.5双极型晶体管24

2.5.1双极型晶体管的基本结构24

2.5.2双极型晶体管的工作原理24

2.6金属半导体场效应晶体管MESFET25

2.7 MOS晶体管的基本结构与工作原理26

2.7.1 MOS晶体管的基本结构26

2.7.2 MOS晶体管的基本工作原理28

2.7.3 MOS晶体管性能分析28

2.7.4 MOS器件电压－电流特性31

2.8本章小结32

思考题与习题33

参考文献33

第3章集成电路工艺简介34

3.1引言34

3.2 外延生长34

3.2.1气相外延生长35

3.2.2金属有机物气相外延生长35

3.2.3分子束外延生长35

3.3掩膜的制版工艺35

3.3.1掩膜制造36

3.3.3 X射线制版37

3.3.2图案发生器PG（Pattern Generator）方法37

3.3.4电子束扫描（E-Beam Scanning）法38

3.4光刻38

3.4.1对光刻的基本要求39

3.4.2光刻步骤简介39

3.5掺杂41

3.5.1热扩散法掺杂41

3.5.2 离子注入法掺杂42

3.6绝缘层形成43

3.7金属层形成45

思考题与习题46

3.8本章小结46

参考文献46

第4章集成电路特定工艺48

4.1 引言48

4.2双极型集成电路的基本制造工艺48

4.3 MESFET工艺与HEMT工艺51

4.3.1 MESFET工艺52

4.3.2 HEMT工艺53

4.4 CMOS集成电路的基本制造工艺54

4.4.1 P阱CMOS工艺54

4.4.3双阱CMOS工艺55

4.4.2 N阱CMOS工艺55

4.4.4 MOS工艺的自对准结构57

4.5 BiCMOS集成电路的基本制造工艺58

4.5.1 以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺58

4.5.2以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺59

4.5.3以双极工艺为基础的BiCMOS工艺60

4.6本章小结62

参考文献62

思考题与习题62

5.1 引言63

第5章集成电路版图设计63

5.2版图几何设计规则64

5.2.1层次64

5.2.2版图几何设计规则65

5.3电学设计规则70

5.4布线规则72

5.5版图设计及版图验证73

5.5.1版图设计73

5.5.2版图设计中提高可靠性的措施75

5.5.3版图验证77

5.6 CMOS电路中的闩锁效应79

5.7本章小结81

参考文献81

思考题与习题81

第6章集成无源器件及SPICE模型83

6.1 引言83

6.2薄层集成电阻器84

6.2.1合金薄膜电阻84

6.2.2多晶硅薄膜电阻84

6.2.3掺杂半导体电阻85

6.2.4薄膜电阻的几何图形设计86

6.2.5薄膜电阻图形尺寸的计算87

6.2.6电阻温度系数89

6.2.7薄层电阻射频等效电路89

6.2.8衬底电位与分布电容90

6.3有源电阻91

6.4集成电容器93

6.4.1平板电容93

6.4.2金属叉指结构电容94

6.4.3 PN结电容95

6.4.4 MOS结构电容96

6.5.1集总电感98

6.5电感98

6.5.2传输线电感100

6.6互连线101

6.7传输线102

6.7.1集总元件和分布元件102

6.7.2微带线102

6.7.3共面波导103

6.8本章小结105

参考文献106

思考题与习题106

7.2二极管及其SPICE模型108

7.1引言108

第7章晶体管的SPICE模型108

7.2.1 二极管的电路模型109

7.2.2二极管的噪声模型110

7.3双极型晶体管及其SPICE模型110

7.3.1双极型晶体管的EM模型111

7.3.2 GP模型114

7.4 MOS场效应晶体管及其SPICE模型114

7.4.1 MOS1模型115

7.4.2 MOS2模型116

7.4.3 MOS3模型118

7.4.4 MOS电容模型120

7.4.5串联电阻的影响121

7.5短沟道MOS场效应管BSIM3模型123

7.5.1阈值电压123

7.5.2迁移率124

7.5.3载流子漂移速度125

7.5.4体电荷效应125

7.5.5强反型时的漏源电流125

7.5.6弱反型时的漏源电流126

7.6模型参数提取技术127

7.6.1模型参数提取方法127

7.6.2参数提取的基本原理128

7.7本章小结129

参考文献130

思考题与习题130

第8章集成电路设计模拟程序SPICE132

8.1电路模拟与SPICE132

8.2电路描述语句133

8.2.1输入文件的一般规定133

8.2.2元件描述语句135

8.2.3半导体元器件描述语句136

8.2.4电源描述语句138

8.2.5模型、子电路和文件包含语句142

8.3电路特性分析和控制语句144

8.3.1分析语句144

8.3.2控制语句146

8.4基于SPICE核的工具软件148

8.4.1 HSPICE148

8.4.2 Pspice149

8.5本章小结149

参考文献149

思考题与习题149

9.1.1双极型晶体管版图设计151

第9章 晶体管与模拟集成电路基本单元设计151

9.1晶体管的版图设计151

9.1.2 MOS晶体管的版图设计158

9.1.3模拟集成电路版图设计的其他方面163

9.2电流源电路设计165

9.2.1双极型镜像电流源165

9.2.2 MOS电流镜167

9.3基准电压源设计170

9.3.1双极型三管能隙基准源170

9.3.2 MOS基准电压源171

9.4差分放大器电路设计172

9.4.1双极型差分放大电路173

9.4.2 MOS差分放大电路175

9.5本章小结180

参考文献181

思考题与习题181

第10章数字集成电路基本单元与版图182

10.1引言182

10.2 TTL基本电路及版图实现183

10.2.1 TTL基本电路183

10.2.2 TTL与非门的版图设计185

10.3.1 CMOS反相器190

10.3 CMOS基本门电路及版图实现190

10.3.2与非门和或非门电路197

10.3.3 CMOS传输门和开关逻辑198

10.3.4驱动电路的结构201

10.3.5三态门203

10.4数字电路标准单元库设计简介204

10.4.1基本原理204

10.4.2库单元设计205

10.5焊盘输入／输出单元（I/OPAD）207

10.5.1输入单元207

10.5.2输出单元208

10.5.3输入／输出双向三态单元（I/O PAD）216

10.6本章小结217

参考文献217

思考题与习题217

第11章Verilog HDL简介218

11.1 Verilog HDL概述218

11.1.1 Verilog HDL特点218

11.1.2 Veri1og HDL程序基本结构219

11.2 Verilog语言要素220

11.2.1标识符220

11.2.4系统任务和函数221

11.2.2注释221

11.2.3格式221

11.2.5编译指令224

11.2.6值集合225

11.2.7数据类型227

11.2.8参数229

11.3表达式中的运算符229

11.3.1算术运算符230

11.3.2位运算符230

11.3.5相等关系运算符231

11.3.4关系运算符231

11.3.3逻辑运算符231

11.3.6移位运算符232

11.3.7连接和复制操作232

11.3.8归约运算符232

11.3.9条件运算符232

11.3.10优先级别233

11.4门级结构描述233

11.4.1 Verilog HDL内置基本门233

11.4.2用户定义的原语234

11.6.1过程结构235

11.6行为建模语句235

11.5连续赋值语句235

11.6.2时序控制237

11.6.3语句块238

11.6.4过程性赋值239

11.6.5条件语句239

11.6.6循环语句240

11.7本章小结242

参考文献242

思考题与习题242

12.1.1集成电路封装的作用244

12.1集成电路封装技术基础244

第12章集成电路封装与测试244

12.1.2集成电路封装的内容和工艺流程245

12.1.3常用集成电路封装形式246

12.1.4集成电路设计中的封装考虑252

12.2集成电路多芯片组件（MCM）封装技术255

12.2.1 MCM的基本概念255

12.2.2 MCM的应用领域256

12.2.3 MCM的基板256

12.2.4MCM设计过程257

12.3.1芯片在晶圆测试的连接方法258

12.3集成电路测试信号连接方法258

12.3.2芯片成品测试的连接方法261

12.4数字集成电路测试方法概述261

12.4.1数字集成电路测试的基本概念262

12.4.2数字集成电路测试实例267

12.5本章小结269

参考文献270

思考题与习题270

第13章安装九天软件包271

13.1操作系统与硬件环境选择271

13.2软件安装步骤273

13.3用户环境设置276

13.4软件的启动277

第14章九天数字系统设计工具ZeniVDE278

14.1 ZeniVDE概述278

14.1.1 ZeniVDE的主要功能279

14.1.2 ZeniVDE的运行环境配置280

14.2设计管理器280

14.2.1 引言280

14.2.2基本概念282

14.3基本编辑操作283

14.2.3菜单命令及基本操作283

14.3.1选择284

14.3.2状态查询284

14.3.3创建285

14.3.4保存285

14.3.5删除285

14.3.6撤消和反撤消286

14.3.7属性设置286

14.3.9拆分287

14.3.10剪切、复制和粘贴287

14.3.8移动287

14.3.11大小调整288

14.3.12旋转288

14.3.13对齐288

14.3.14陈列289

14.3.15 Z轴顺序调整289

14.3.16文本锚289

14.3.17视图调整290

14.3.18打印291

14.3.19 ZeniVDE的命名规则296

14.3.20数字、字串及其他296

14.4.2流程图输入法297

14.4.1框图输入法297

14.4设计输入法297

14.4.3状态图输入法299

14.4.4真值表输入法299

14.4.5 HDL文本输入法299

14.5编译及模拟301

14.5.1简介301

14.5.2编译设计单元301

14.5.3编译命令区别302

14.5.4模拟步骤302

14.6混合信号波形浏览器304

第15章九天版图编辑器及版图验证环境306

15.1 ZeniPDT特点306

15.1.1操作命令集306

15.1.2层次式设计方法307

15.1.3多窗口多单元同时编辑307

15.1.4调色板（Palette）307

15.1.5在线设计规则检查307

. 15.1.6与版图验证系统紧密连接307

15.1.7方便有效的数据管理308

15.2 ZeniPDT版图编辑308

15.2.1版图设计前的准备309

15.2.2单元的基本概念311

15.2.3版图编辑312

15.2.4数据及工具接口312

15.3 ZeniVERI版图验证环境概述316

15.4九天版图验证318

15.4.1基于LDC工具的版图验证319

15.4.2 Slognet网表转换工具320

15.4.3LDX查错工具324

15.5验证文件编写举例331

15.5.1系统描述及通用性命令（DescriptionCommands）331

15.5.2输入层定义命令（Input-layerCommands）333

15.5.3工艺命令（Technology Commands）334

15.5.4操作命令（OperationCommands）335

15.5.5 DRC命令文件341

15.5.6 ERC命令文件343

15.5.7 LVS命令文件346

15.6深亚微米级版图验证347

第16章九天系统使用实例348

16.1用九天数字系统模拟工具设计数字系统348

16.2用九天版图编辑器进行全手工集成电路版图设计356

16.3用九天版图验证工具验证标准格式版图数据362