图书介绍
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- 刘恩科，朱秉升，罗晋生等编著 著
- 出版社： 西安：西安交通大学出版社
- ISBN：7560510108
- 出版时间：1998
- 标注页数：386页
- 文件大小：19MB
- 文件页数：394页
- 主题词：超导电性
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图书目录
目 录1
主要参数符号表1
第1章半导体中的电子状态1
1.1半导体的晶格结构和结合性质1
1.2半导体中的电子状态和能带4
1.3半导体中电子的运动有效质量12
1.4本征半导体的导电机构空穴15
1.5回旋共振17
1.6硅和锗的能带结构20
1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构25
1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构28
习题30
参考资料30
2.1硅、锗晶体中的杂质能级31
第2章半导体中杂质和缺陷能级31
2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级39
2.3缺陷、位错能级43
习题45
参考资料46
第3章半导体中载流子的统计分布48
3.1状态密度48
3.2费米能级和载流子的统计分布51
3.3本征半导体的载流子浓度57
3.4杂质半导体的载流子浓度60
3.5一般情况下的载流子统计分布69
3.6简并半导体73
补充材料：电子占据杂质能级的概率80
习题83
参考资料84
4.1载流子的漂移运动迁移率87
第4章半导体的导电性87
4.2载流子的散射89
4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系96
4.4电阻率及其与杂质浓度和温度的关系101
4.5玻耳兹曼方程 电导率的统计理论103
4.6强电场下的效应热载流子108
4.7多能谷散射耿氏效应113
习题117
参考资料118
第5章非平衡载流子120
5.1非平衡载流子的注入与复合120
5.2非平衡载流子的寿命121
5.3准费米能级123
5.4复合理论124
5.5陷阱效应136
5.6载流子的扩散运动138
5.7载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式142
5.8连续性方程式144
习题148
参考资料149
第6章p-n结150
6.1 p-n结及其能带图150
6.2 p-n结电流电压特性156
6.3 p-n结电容166
6.4 p-n结击穿176
6.5 p-n结隧道效应178
习题181
参考资料181
第7章金属和半导体的接触183
7.1金属半导体接触及其能级图183
7.2金属半导体接触整流理论188
7.3少数载流子的注入和欧姆接触197
参考资料200
习题200
第8章半导体表面与MIS结构201
8.1 表面态201
8.2表面电场效应204
8.3 MIS结构的电容－电压特性212
8.4硅－二氧化硅系数的性质219
8.5表面电导及迁移率225
8.6表面电场对p-n结特性的影响227
习题232
参考资料233
第9章异质结235
9.1异质结及其能带图235
9.2异质结的电流输运机构245
9.3异质结在器件中的应用252
9.4半导体超晶格254
习题258
参考资料259
第10章半导体的光学性质和光电与发光现象262
10.1半导体的光学常数262
10.2半导体的光吸收266
10.3半导体的光电导273
10.4半导体的光生伏特效应280
10.5半导体发光282
10.6半导体激光287
习题293
参考资料294
第11章半导体的热电性质295
11.1热电效应的一般描述295
11.2半导体的温差电动势率298
11.3半导体的珀耳帖效应303
11.4半导体的汤姆孙效应304
11.5半导体的热导率305
习题308
11.6半导体热电效应的应用308
参考资料309
第12章半导体磁和压阻效应310
12.1霍耳效应310
12.2磁阻效应318
12.3磁光效应322
12.4量子化霍耳效应325
12.5热磁效应327
12.6光磁电效应329
12.7压阻效应332
12.8声波和载流子的相互作用340
习题348
参考资料349
第13章非晶态半导体351
13.1非晶态半导体的结构351
13.2非晶态半导体中的电子态354
13.3非晶态半导体中的缺陷、隙态与掺杂效应359
13.4非晶态半导体中的电学性质365
13.5非晶态半导体中的光学性质371
13.6a-Si：H的p-n结与金－半接触特性375
参考资料376
附录378
附录1 常用物理常数和能量表达变换表378
附表1-1常用物理常数表378
附表1-2能量表达变换表378
附录2半导体材料物理性质表379
附表2-1 Ⅳ族半导体材料的性质379
附表2-2 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的性质380
附表2-3 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的性质382
附表2-4Ⅳ-Ⅵ族半导体材料的性质383
附表2-5 Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料的性质383
参考资料386