图书介绍
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- 郑福洁，吴士忠编 著
- 出版社： 南京：江苏科学技术出版社
- ISBN：15196·089
- 出版时间：1983
- 标注页数：284页
- 文件大小：15MB
- 文件页数：292页
- 主题词：
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图书目录
目录1
上篇1
第一章原子结构1
§1-1原子的核型结构1
§1-2氢原子光谱的规律性2
§1-3玻尔的氢原子理论6
§1-4椭圆轨道12
§1-5空间量子化电子的自旋16
§1-6原子的壳层结构19
*§1-7伦琴射线的光谱25
复习思考题31
本章小结31
第二章统计物理初步33
§2-1几率论的一些基本知识33
§2-2统计的规律性38
§2-3玻耳兹曼统计分布45
§2-4费米-狄拉克统计分布48
本章小结51
复习思考题53
第三章量子力学初步54
§3-1波和粒子54
§3-2定态薛定谔方程70
§3-3势垒的反射和透入72
§3-4势垒贯穿——隧道效应74
§3-5一维方势阱76
§3-6粒子在方盒中的运动80
§3-7氢原子问题83
本章小结88
复习思考题89
第四章 晶体结构和能带论初步91
§4-1晶体的结合和结构91
§4-2电子的共有化运动和能带111
§4-3导体、半导体和绝缘体的能带结构114
§4-4晶体中电子的运动有效质量116
*§4-5一维周期场120
§4-6布里渊区124
本章小结128
复习思考题128
下篇130
第五章掺杂半导体130
§5-1本征半导体的特性130
§5-2半导体掺杂135
§5-3n型半导体和p型半导体137
§5-4掺杂半导体在室温上下的载流子浓度141
§5-5掺杂半导体的本征情况144
§5-6深能级杂质和缺陷能级145
本章小结147
复习思考题148
§6-1导带电子与价带空穴统计分布的一般表达式149
第六章半导体中载流子的统计分布149
§6-2本征情况下的费米能级和载流子浓度153
§6-3杂质半导体的费米能级和载流子浓度155
§6-4简并半导体费米能级的位置和载流子浓度159
§6-5费米能级的物理意义163
本章小结165
复习思考题166
第七章半导体中载流子的迁移现象167
§7-1金属自由电子论167
§7-2半导体中载流子的运动方式171
§7-3半导体的电导率和散射172
§7-4电子和空穴的迁移率177
§7-5电阻率同杂质浓度和材料温度的关系180
§7-6半导体的霍耳效应182
本章小结185
复习思考题186
第八章非平衡载流子187
§8-1非平衡载流子及其产生187
§8-2非平衡载流子的复合与寿命188
§8-3准平衡态与准费米能级198
§8-4非平衡载流子的运动200
本章小结207
复习思考题208
§9-1 p-n结的形成及杂质分布209
第九章p-n结209
§9-2平衡p-n结212
§9-3 p-n结的伏安特性215
§9-4 p-n结的电容效应224
§9-5 p-n结的击穿特性229
§9-6金属与半导体的接触235
本章小结241
复习思考题242
第十章半导体表面245
§10-1表面空间电荷区245
§10-2理想MIS电容器的C-V特性248
§10-3硅－二氧化硅系统的性质255
§10-4实际MIS电容器的C-V特性及应用258
§10-5半导体场效应应用举例——MOS场效应晶体管264
§10-6表面电导率及迁移率265
本章小结266
复习思考题266
第十一章半导体的光磁热电性质268
§11-1半导体的光学性质268
§11-2半导体的热电性质275
§11-3半导体磁电效应278
本章小结282
复习思考题283
附录283
一、常用的物理常数283
二、锗、硅和砷化镓材料的物理性质284