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目录1

第一章　半导体基础知识1

第一节　什么是半导体1

1—1　什么叫半导体1

1—2　空穴是怎样导电的3

第二节　半导体的导电性5

2—1　两种类型的杂质—施主和受主5

2—2　少数载流子和多数载流子7

2—3　载流子的迁移率7

2—2　硅单晶电阻率与掺杂技术 37

2—5　非平衡载流子的注入、扩散、复合、寿命和俘获9

2—4　平衡载流子与非平衡载流子9

第三节　PN结及其性质12

3—1　什么是PN结12

3—2　PN结中的载流子扩散12

3—3　PN结能带及势垒14

3—4　两种类型PN结—突变结与缓变结16

3—5　PN结的伏安特性17

3—6　PN结的击穿18

3—7　PN结的电容22

1—2　拉单晶34

第一节　直拉法生长硅单晶的简介34

1—1　单晶，多晶和籽晶34

第二章　硅单晶的制备及参数测量34

1—3　拉单晶的主要设备及原料35

第二节　拉晶前的准备工作35

2—1　清洁处理36

2—3　装炉39

2—4　加热熔化39

第三节　直拉法生长硅单晶的工艺过程39

3—2　收颈40

3—1　下种40

3—3　放肩41

3—4　等径生长41

3—5　收尾拉光41

第四节　硅单晶的物理测试43

4—1　单晶体的检验43

4—2　晶体的取向44

4—3　位错的观察45

4—4　导电类型的测定47

4—5　电阻率的测量48

4—6　非平衡少数载流子寿命的测量50

4—7　影响晶体质量的其他参数的探索问题52

第三章　外延工艺53

第一节　外延工艺和原理54

1—1　基本原理54

1—2　外延设备55

1—3　外延工艺59

第二节　外延生长的原理及层错的形成62

2—1　生长的原理62

2—2　层错的形成64

第三节　外延层的检验65

3—1　电阻率的检验65

3—2　外延层厚度的测量68

3—3　层错（位错）的测量69

3—4　夹层的检验70

第四节　外延时出现的问题及解决的方法72

4—1　外延层的电阻率与厚度的均匀性72

4—2　夹层的产生73

4—3　外延层的缺陷74

第四章　晶体管的基本结构77

第一节　合金管78

第二节　平面管79

1—2　光刻掩膜版应该满足的要求81

1—1　制版的意义81

第五章　制版技术81

第一节　概念81

1—3　制版的工艺流程82

第二节　原图的制备82

2—1　原图制备的方法82

2—2　刻图的工艺过程83

第三节　初缩84

3—1　初缩机的主要装置及其要点84

3—2　成象原理及物镜的选择85

3—3　初缩工艺过程86

第四节　精缩分步87

4—1　精缩分步机的结构88

4—2　精缩分步工艺的操作过程88

4—3　精缩分步中问题的讨论90

第五节　明胶版复印91

5—1　意义及原理91

5—2　复印的要点91

第六节　显影、定影工艺92

6—1　显影液的成分及作用92

6—2　影响显影效果的主要因素94

6—3　显影液的配制及使用95

6—4　停显液、定影液配方及使用96

第七节　超微粒干版的制备97

7—1　超微粒干版（明胶版）的简介97

7—2　超微粒干版的制备97

7—3　制备超微粒干版的点滴体会99

第八节　真空蒸铬101

8—1　蒸铬的原理和蒸发系统101

8—2　蒸发的工艺过程102

9—2　铬版复印的工艺流程103

9—1　铬版复印的原理103

第九节　铬版复印103

第六章　氧化扩散工艺106

第一节　氧化原理及氧化方法106

1—1　平面晶体管中二氧化硅层的作用106

1—2　SiO2的形成方法和原理108

1—3　氧化层厚度的测量113

1—4　氧化工艺中的一些质量问题114

第二节　扩散原理及扩散方法116

2—1　概述116

2—2　扩散方法的介绍120

2—3　扩散的基本原理129

2—4　扩散中的一些实际问题的讨论143

第七章　光刻技术148

第一节　光刻胶149

第二节　光刻工艺流程151

2—1　硅片的清洁处理151

2—2　涂胶152

2—3　前烘153

2—4　对准与曝光153

2—6　腐蚀154

2—5　显影与坚膜154

2—7　去胶检查156

第三节　问题讨论156

3—1　影响光刻分辨率的因素156

3—2　浮胶158

3—3　钻蚀158

3—4　针孔159

3—5　小岛160

第四节　投影曝光和电子束曝光简介160

4—1　投影曝光法161

4—2　电子束曝光法162

第一节　什么是欧姆接触163

第八章　殴姆接触163

第二节　两种欧姆接触164

第三节　真空镀膜165

3—1　真空蒸发165

3—2　合金167

3—3　蒸发铝时常出现的问题及讨论169

第四节　溅射技术170

4—1　高频溅射171

4—2　等离子溅射172

5—1　银膏烧结173

第五节　烧结173

5—2　合金法烧结174

第六节　引线焊接175

6—1　热压焊接引线176

6—2　超声键合连接引线177

第九章　晶体管参数及测量180

第一节　晶体管原理和特性181

1—1　晶体管的放大原理181

1—2　晶体管的伏安特性曲线184

第二节　晶体管的放大特性参数187

2—2　共发射极电流放大系数β188

2—1　共基极电流放大系数α188

2—3　怎样提高电流放大倍数189

2—4　功率增益KP191

第三节　晶体管的频率特性参数192

3—1　基极电阻γbb193

3—2　集电结电容Cc194

3—3　特征频率fT195

第四节　晶体管的极限参线197

4—1 P—N结的雪崩击穿机理197

4—2　击穿电压BVcbo，BVoeb？，BVceo的测量198

4—3　如何提高击穿电压200

4—4　二次击穿简介202

4—5　集电极最大允许电流ICM205

4—6　集电极最大允许耗散功率PCM206

第五节　集电极—发射极间饱和压降VCES208

第六节　晶体管的开关参数210

第七节　晶体管的噪声系数213

第十章　射频功率晶体管的设计216

第一节　设计总则216

第二节　管芯设计218

第三节　管壳设计231

第四节　工艺设计233

附录237