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![VLSI概论](https://www.shukui.net/cover/67/34311000.jpg)
- 谢永瑞编著 著
- 出版社: 北京:清华大学出版社
- ISBN:7302053421
- 出版时间:2002
- 标注页数:326页
- 文件大小:51MB
- 文件页数:341页
- 主题词:
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图书目录
第1章 VLSI与MOS器件1
1.1 前言1
1.1.1 集成电路的发展1
1.1.2 集成电路制作技术简介2
1.2 加强型MOS3
1.2.1 nMOS3
1.2.2 pMOS5
1.3 互补式MOS(CMOS)6
1.4 体效应(Body Effect)7
1.5 Latch-Up效应8
1.6 临界电压9
1.8 习题10
1.7 小结10
第2章 CMOS制造技术11
2.1 集成电路基本制造技术11
2.1.1 掺杂技术(Dopping)11
2.1.2 氧化技术(Oxidation)12
2.1.3 累晶技术(Epitaxial)13
2.1.4 蚀刻技术(Etching)13
2.1.5 其他相关技术15
2.2 CMOS制造技术15
2.2.1 P型阱CMOS技术15
2.2.2 N型阱CMOS技术18
2.3 设计规则(Design Rule)19
2.4 合格率(Yield)21
2.6 习题23
2.5 小结23
第3章 MOS基本电路介绍25
3.1 当作开关使用的MOS25
3.2 MOS基本逻辑电路27
3.2.1 反相器(Inverter)27
3.2.2 与非门(NAND)29
3.2.3 或非门(NOR)30
3.2.4 复合逻辑电路(Compound Logic Gate)31
3.2.5 多任务器34
3.2.6 存储单元35
3.3 设计电路应考虑的问题36
3.3.1 驱动较大负载的电路36
3.3.2 电子移转现象(Electro Migration)39
3.3.3 接线电容进一步的考虑40
3.4 小结40
3.5 习题41
第4章 电路性能分析42
4.1 电阻估算42
4.1.1 沟道电阻(Channel Resistance)43
4.1.2 非长方形物质的电阻值43
4.2 电容估算44
4.2.1 栅极电容45
4.2.2 扩散层电容45
4.2.3 其他电容46
4.2.4 导线长度的限制48
4.3 延迟时间(Delay Time)49
4.3.1 上升时间(Rise Time)51
4.3.2 下降时间(FallTime)51
4.3.3 晶体管尺寸大小52
4.3.4 时间延迟的估算53
4.4 直流转移曲线55
4.5 功率消耗(PowerDissipation)58
4.5.1 静态功率消耗59
4.5.2 动态功率消耗60
4.6 CMOS和nMOS的比较62
4.7 小结62
4.8 习题63
5.1.1 时钟静态逻辑(Clocked Static Logic)64
5.1 逻辑电路设计64
第5章 CMOS电路设计64
5.1.2 动态CMOS逻辑(Dynamic CMOS Logic)70
5.1.3 CMOS多米诺骨牌逻辑(CMOS Domino Logic)75
5.1.4 管线式电路(Pipeline Circuit)77
5.2 设计时考虑的要素79
5.2.1 晶体管的尺寸大小79
5.2.2 逻辑门的输入个数79
5.2.3 漏极与源极电容81
5.3 输入输出电路结构(I/O PAD Structure)83
5.3.1 整体架构83
5.3.2 VDD和Vss PADs85
5.3.3 输出PAD(Output PAD)85
5.3.5 三态PAD(Tri-State PAD)86
5.3.4 输入PAD(Input PAD)86
5.3.6 双向PAD(Bidirectional PAD)88
5.4 一些特殊CMOS电路89
5.4.1 虚拟nMOS(Pseudo nMOS)89
5.4.2 传输逻辑(PassTransistor Logic)90
5.4.3 差分开关逻辑(Differential Cascode Voltage Switch Logic)91
5.5 各种逻辑电路比较94
5.6 小结95
5.7 习题95
第6章 集成电路设计与布局方法96
6.1 布局法96
6.2 光罩与条形图97
6.2.1 从条形图到布局图99
6.2.2 基本逻辑电路布局图102
6.2.3 布局时应注意的问题108
6.3 设计方式110
6.3.1 结构化设计111
6.3.2 门阵列(GateArray)设计112
6.3.3 标准单元(Standard Cell)设计113
6.3.4 全定制(Full Custom)设计115
6.3.5 以上三种设计方式的比较115
6.3.6 可编程逻辑数组(PLA)设计116
6.4 设计者的工具箱120
6.4.1 逻辑层次(Logical Level)120
6.4.4 电路层次(Circuit Level)121
6.4.2 开关层次(Switch Level)121
6.4.3 时序层次(Timing Level)121
6.4.5 电路图编辑器(Schematic Editor)122
6.4.6 布局图编辑器(Layout Editor)122
6.5 小结122
6.6 习题123
第7章 低功率电路设计与可测试性电路设计124
7.1 低功率电路设计124
7.1.1 各种功率的消耗124
7.1.2 低功率电路设计的方向126
7.1.3 低功率电路设计的电路结构128
7.2 可测试性电路设计132
7.2.1 错误模型(Fault Model)133
7.2.2 测试样本的产生136
7.2.3 可测试性(Testability)137
7.2.4 扫描设计(Scan Design)138
7.2.5 周边扫描标准140
7.2.6 自我检查电路设计141
7.3 小结144
7.4 习题145
第8章 子电路系统设计146
8.1 加法器146
8.1.1 进位链加法器149
8.1.2 进位链加/减法器149
8.1.3 先行进位加法器(Carry Look-Ahead Adder)151
8.1.4 曼彻斯特进位链加法器(Manchester Carry Chin Adder)153
8.2 乘 法器154
8.2.1 平行乘法器(Parallel Multiplier)155
8.2.2 飞击式乘法器(On-The-Fly Multiplier)156
8.2.3 管线式乘法器(Pipeline Multiplier)159
8.3 计数器162
8.3.1 异步计数器162
8.3.2 同步计数器162
8.4 内存164
8.4.1 RAM164
8.4.2 ROM166
8.5 小结167
8.6 习题167
9.1 Magic简介169
第9章 Magic介绍169
9.2 Magic的使用170
9.2.1 起步170
9.2.2 编辑命令173
9.2.3 阶层式布局的运用177
9.2.4 其他特殊工具与命令179
9.2.5 各类文件输出181
9.3 IRSIM的使用182
9.3.1 启动183
9.3.2 状态设定183
9.3.3 状态观察184
9.3.4 电路仿真184
9.4 小结186
9.5 习题187
第10章 TannerTools Pro简介188
10.1 Tanner的设计流程188
10.2 TannerTools Pro在IC设计流程上的地位189
10.3 TannerToolsPro包含的软件191
10.4 系统需求192
第11章 S-Edit193
11.1 S-Edit的窗口介绍193
11.2 S-Edit的文件结构197
11.3 S-Edit设定198
11.4 开始进行设计201
11.5 编辑与绘制208
11.6 电路的联结211
11.7 属性与电路文件215
11.8 例子导引219
11.9 练习227
11.10 计划227
第12章 L-Edit与LVS229
12.1 L-Edit的窗口介绍229
12.2 L-Edit设定232
12.3 文件与细胞(Cells)242
12.4 布局248
12.5 查找与编辑252
12.6 产生层次(generate layers)255
12.7 剖面图(Cross-Section Viewer)257
12.8 例子导引259
12.9 DRC、EXT、SPR与LVS261
12.10 DRC261
12.11 EXT262
12.12 SPR266
12.13 CIF与GDSII文件的转入与转出269
12.14 Lab:SPR的使用270
12.15 LVS273
12.16 练习277
12.17 计划278
第13章 T-Spice与W-Edit279
13.1 T-Spice的窗口介绍279
13.2 T-Spice命令工具280
13.3 W-Edit298
13.4 W-Edit的窗口介绍298
13.5 练习304
第14章 LAB四位加法器305
14.1 基本单元电路的设计与仿真305
14.2 基本单元的布局与验证312
14.3 较大区块电路的验证315
14.4 整个系统的验证316
14.5 整个系统的布局与验证317
14.6 结论320
附录教育性晶片321
参考文献325