半导体集成电路制造手册PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载

半导体集成电路制造手册PDF格式电子书版下载

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

第1章　半导体芯片制造综述2

1.1　概述2

1.2　半导体芯片2

1.3　摩尔定律2

第一部分　半导体基础介绍及基本原材料2

1.4　芯片的设计3

1.5　芯片生产的环境3

1.6　芯片的生产3

参考文献9

2.2　集成电路的类型10

2.3　p-n结10

2.1　概述10

第2章　集成电路设计10

2.4　晶体管11

2.5　集成电路设计13

2.6　集成电路设计的未来走向及问题14

参考文献15

第3章　半导体制造的硅衬底16

3.1　概述16

3.2　硅衬底材料的关键特性16

3.3　硅晶圆制造基础17

3.4　硅衬底材料18

3.5　硅衬底制造中的关键问题和挑战25

3.6　结论27

参考文献27

第4章　铜和低k介质及其可靠性29

4.1　概述29

4.2　铜互连技术30

4.3　低k介质技术33

4.4　铜／低K介质的可靠性35

参考文献38

第5章　硅化物形成基础40

5.1　概述40

5.2　硅上工艺基础41

5.3　未来趋势和纳米级硅化物的形成45

5.4　结论46

参考文献46

第6章　等离子工艺控制48

6.1　概述48

6.2　等离子体的产生和工艺控制的基本原理48

6.3　工艺控制和量测53

6.4　干法刻蚀的特性59

6.5　未来趋势和结论60

参考文献60

第7章　真空技术63

7.1　真空技术概述63

7.2　测量低气压压力的方法64

7.3　产生真空的方法66

7.4　真空系统的组成部件68

7.5　泄漏探测69

7.6　真空系统设计69

7.7　未来趋势和结论72

补充读物72

信息资源72

第8章　光刻掩膜版73

8.1　概述73

8.2　光刻掩膜版基础73

8.3　光刻掩膜版生产设备75

8.4　运转、经济、安全及维护的考虑76

8.5　未来趋势与结论76

参考文献78

第二部分　晶圆处理80

第9章　光刻80

9.1　光刻工艺80

9.2　光学光刻成像85

9.3　光刻胶化学92

9.4　线宽控制96

9.5　光刻的局限性98

补充读物99

10.1　概述100

第10章　离子注入和快速热退火100

10.2　离子注入系统的组成部分101

10.3　后站结构106

10.4　关键工艺和制造问题106

10.5　离子注入的资源110

参考文献110

第11章　湿法刻蚀112

11.1　概述112

11.2　含HF的化学刻蚀剂113

11.3　金属刻蚀115

11.4　湿法刻蚀在混合半导体中的应用116

11.5　湿法刻蚀的设备117

11.6　环境、健康和安全问题118

参考文献118

第12章　等离子刻蚀119

12.1　概述119

12.2　硅衬底IC器件制造中的等离子刻蚀122

12.3　硅衬底MEMS器件制造中的等离子刻蚀126

12.4　III-V族混合半导体中的等离子刻蚀132

12.5　等离子刻蚀的终点探测136

12.6　结论138

致谢138

参考文献138

13.1　物理气相淀积概述142

13.2　PVD工艺的基本原理142

第13章　物理气相淀积142

13.3　真空蒸发143

13.4　蒸发设备145

13.5　蒸发淀积的层及其性质147

13.6　溅射147

13.7　溅射设备150

13.8　溅射淀积的层156

13.9　原子层淀积：薄膜淀积技术的新远景157

13.10　结论与展望158

参考文献159

14.1　概述160

第14章　化学气相淀积160

14.2　原理161

14.3　CVD系统的组成168

14.4　预淀积与清洗170

14.5　排除故障171

14.6　未来趋势172

参考文献173

第15章　外延生长174

15.1　概述174

15.2　用于先进CMOS技术的硅外延178

15.3　制造184

15.5　外延的未来发展趋势186

15.4　安全和环境健康186

参考文献187

补充读物187

15.6　结论187

第16章　EGD基础188

16.1　概述188

16.2　基本的ECD技术（电镀工作原理）189

16.3　铜大马士革ECD工艺的优点191

16.4　铜ECD的生产线集成192

16.5　铜ECD工艺的其他考虑因素193

16.6　未来趋势194

参考文献195

16.7　结论195

第17章　化学机械研磨198

17.1　CMP概述198

17.2　常见的CMP工艺应用199

17.3　CMP的工艺控制201

17.4　后CMP晶圆清洗204

17.5　常见的CMP平台与设备205

17.6　CMP工艺废弃物管理207

17.7　未来发展趋势与结论208

参考文献209

信息资源209

18.1　湿法清洗概述与回顾210

第18章　湿法清洗210

18.2　典型半导体制造：湿法清洗工艺215

18.3　湿法清洗设备技术218

18.4　未来趋势与结论219

参考文献220

第三部分　后段制造224

第19章 目检、测量和测试224

19.1　测试设备概述224

19.2　测试设备基础和制造自动化系统228

19.3　如何准备、计划、规范、选择供应商和购买测试设备249

19.4　操作、安全、校准、维护中的考虑因素255

19.5　未来趋势和结论258

致谢作者263

补充读物263

信息资源264

第20章　背面研磨、应力消除和划片265

20.1　概述265

20.2　背面研磨技术265

20.3　晶圆背面研磨机266

20.4　划片270

20.5　划片机274

20.6　生产设备要求276

20.7　晶圆减薄277

20.8　全合一系统281

20.9　未来技术趋势282

补充读物283

第21章　封装284

21.1　概述284

21.2　封装的演变291

21.3　凸晶及焊盘重布技术297

21.4　实例研究322

21.5　光电子和MEMS封装328

参考文献329

补充读物330

第22章　纳米技术和纳米制造332

22.1　什么是纳米技术332

第四部分　纳米技术、MEMS和FPD332

22.2　纳米技术和生化技术333

22.3　纳米制造：途径和挑战333

22.4　纳米制造——不仅仅是工程和工艺339

致谢340

参考文献340

第23章　微机电系统基础341

23.1　概述341

23.2　MEMS的技术基础343

23.3　微机电系统制造原理347

23.4　微机电系统的应用361

23.5　未来的趋势362

23.6　结论362

参考文献363

其他信息364

第24章　平板显示技术和生产365

24.1　概述365

24.2　定义365

24.3　平板显示的基础和原理366

24.4　平板显示的生产工艺372

24.5　未来趋势与结论374

补充读物376

第25章　特种气体和CDA系统378

25.1　概述378

第五部分　气体和化学品378

25.2　半导体生产工艺的要求379

25.3　法规的要求和其他通常要在设计中考虑的问题380

25.4　特殊气体的分配和输送382

25.5　执行390

25.6　特殊气体系统的未来趋势395

25.7　洁净干燥空气398

25.8　结论401

致谢401

参考文献401

补充读物402

26.1　概述403

第26章　废气处理系统403

26.2　基本原理405

26.3　主要组成部分411

26.4　重要考虑因素415

26.5　未来趋势417

参考文献417

第27章　PFC的去除418

27.1　高氟碳化合物418

27.2　减少PFC排放的策略421

27.3　PFC去除理论423

27.4　催化法去除425

参考文献429

第28章　化学品和研磨液操作系统430

28.1　概述430

28.2　化学品和研磨液操作系统中的要素和重要条件431

28.3　设备432

28.4　高纯化学品的混合435

28.5　系统的纯度440

28.6　CMP研磨液系统444

28.7　结论448

参考文献448

第29章　操控高纯液体化学品和研磨液的部件449

29.1　概述449

29.2　流体操控部件的材料450

29.4　工业检测标准和协议452

29.3　金属杂质、总可氧化碳量和颗粒污染物452

29.5　操控流体的部件453

29.6　流体测量设备458

29.7　工艺控制的应用463

29.8　结论465

补充读物465

第30章　超纯水的基本原理466

30.1　概述466

30.2　UPW系统的单元操作466

30.3　初始给水467

30.4　预处理470

30.5　初级处理472

30.6　最终处理、抛光和配送476

30.7　未来趋势478

参考文献479

第六部分　气体和化学品482

第31章　良品率管理482

31.1　概述482

31.2　良品率管理定义及其重要性483

31.3　良品率管理基本要素及良品率管理系统的执行485

31.4　优化良品率管理系统所要考虑的问题493

31.5　未来趋势与结论495

补充读物496

32.1　概述498

第32章　自动物料搬运系统498

32.2　AMHS的主要组成部分499

32.3　AMHS的设计502

32.4　运营中的考量505

32.5　未来趋势506

第33章　关键尺寸测量方法和扫描电镜508

33.1　概述508

33.2　关键尺寸测量基本概念509

33.3　扫描电镜的基本概念510

33.4　扫描电镜规格和选择流程513

33.5　未来趋势与结论516

参考文献517

34.1　什么是六西格玛518

第34章　六西格玛518

34.2　六西格玛的基本强项519

34.3　主要的DMAIC阶段521

34.4　六西格玛设计（DFSS）524

34.5　应用实例526

34.6　未来趋势与结论531

补充读物531

第35章　高级制程控制532

35.1　技术概况532

35.2　高级制程控制的基本知识532

35.3　应用539

35.4　应用所需要考虑的事项545

参考文献547

35.5　未来趋势与结论547

第36章　半导体生产厂区环境、健康和安全方面需要考虑的事项549

36.1　概述549

36.2　半导体制造过程中的EHS危害549

36.3　适用于半导体制造者的EHS法规552

36.4　遵守法规之外的期望561

36.5　半导体工业EHS的未来走向563

参考文献564

信息资源564

37.2　计划565

第37章　芯片制造厂的计划、设计和施工565

37.1　概述565

37.3　设计573

37.4　施工580

37.5　结论586

致谢586

第38章　洁净室的设计和建造587

38.1　概述587

38.2　洁净室标准、分类和认证587

38.3　典型洁净室590

38.4　气流分布与模式592

38.5　换气593

38.6　洁净室的组成594

38.7　空调系统的要求595

38.8　工艺污染控制598

38.9　振动和噪声控制599

38.10　磁性和电磁通量599

38.11　空气和表面静电电荷599

38.12　生命安全600

38.13　流体动力学计算机模拟600

38.14　洁净室经济性601

38.15　实践中的问题及解决方案（举例）603

补充读物616

信息资源617

第39章　微振动和噪声设计618

39.1　概述618

39.2　测量方法和标准619

39.3　振动和噪声源625

39.4　地基和结构设计626

39.5　机械／电动／工艺设计中的振动和噪声控制630

39.6　声学设计638

39.7　机器厂务连接640

39.8　厂务振动检测的目的与时机641

39.9　振动和噪声环境的老化642

39.10　未来方向和特例642

参考文献643

致谢643

第40章　洁净室环境中静电放电的控制646

40.1　半导体洁净室中的静电电荷646

40.2　静电在洁净室中的危害646

40.3　静电电荷的产生650

40.4　绝缘体和导体651

40.5　洁净室内的静电管理652

40.6　空气离子化对静电电荷的控制654

40.7　静电测量657

40.8　空气离子发生器的应用659

参考文献661

40.9　结论661

第41章　气体分子污染663

41.1　化学污染的介绍及气体分子污染的定义663

41.2　气体分子污染的分级664

41.3　AMC控制的考虑665

41.4　AMC控制的执行666

41.5　气相化学过滤器667

41.6　干式涤气过滤器介质668

41.7　化学过滤系统的设计671

41.8　AMC监控673

41.9　AMC控制的应用区域675

41.10　AMC控制的规范和标准676

41.11　选择一种AMC控制系统678

41.12　最后的考虑679

41.13　结论681

参考文献681

信息来源682

第42章　半导体制造业中微粒的监测683

42.1　概述683

42.2　微粒检测仪的操作原理686

42.3　详细说明一个微粒检测仪688

42.4　关于在气体应用中的特殊考虑689

42.5　关于在液体应用中的特殊考虑692

42.6　污染控制的层次696

42.7　空气传播中分子污染700

42.8　结论701

参考文献702

第43章　废水中和系统703

43.1　概述703

43.2　水和pH值703

43.3　应用评价707

43.4　标准pH值调节系统的结构709

43.5　系统优化715

43.6　控制系统723

43.7　用于pH值调节的化学药品725

43.8　pH值调节在化学机械刨光（磨光）、降低金属和降低氟化物含量中的应用729

补充读物730

附录731