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![中国学科发展战略 微纳电子学](https://www.shukui.net/cover/50/31034821.jpg)
- 中国科学院编 著
- 出版社: 北京:科学出版社
- ISBN:9787030379320
- 出版时间:2013
- 标注页数:337页
- 文件大小:77MB
- 文件页数:361页
- 主题词:微电子技术-学科发展-发展战略-中国
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图书目录
第一章 微纳电子学科/产业的发展历史及规律1
第一节 微电子学科/产业的发展历史及规律研究1
一、从农业社会到信息社会1
二、微电子学科/技术发展的历史沿革6
三、集成电路市场的变化9
四、集成电路产业结构的变迁12
五、集成电路产业的投资14
六、集成电路技术的发展趋势17
七、小结23
第二节 中国集成电路产业的发展24
一、中国集成电路产业的萌芽24
二、中国集成电路产业的成长25
三、中国集成电路产业的现状26
四、从集成电路消费大国到产业强国31
参考文献38
第二章 纳米低功耗集成电路新器件新结构及其机制研究40
第一节 纳米低功耗集成电路新器件研究的背景及发展现状40
一、微电子器件发展的若干历史及研究背景40
二、新结构器件发展的必然性42
三、新结构器件研究的发展历史43
四、主要的新器件结构和研究现状45
五、新型存储器件及其研究现状48
第二节 纳米低功耗集成电路新器件研究中的关键问题51
一、新型逻辑器件51
二、新型存储器件54
第三节 纳米低功耗集成电路新器件领域未来发展趋势56
第四节 建议我国重点支持和发展的方向58
一、“后22纳米”新器件大规模集成制造技术58
二、“后22纳米”新材料器件集成技术59
三、新型存储器件技术60
第五节 有关政策与措施建议62
参考文献63
第三章 IC/SOC设计及EDA技术65
第一节 集成电路设计领域的发展趋势与关键问题65
一、电子应用系统推动集成电路设计技术发展65
二、“集成”将成为未来芯片设计技术的主题66
三、迫切需要系统层次上的设计方法学指导67
四、DFT、 DFM、 DFR占芯片设计的比重将越来越大68
五、垂直分工模式的产业组织模式对芯片设计影响巨大69
六、集成电路设计的关键问题70
第二节 SoC与集成电路设计71
一、SoC基本概念71
二、SoC设计的关键技术72
三、应用概念73
四、集成电路设计方法学75
第三节 EDA技术与工具77
一、概述与发展趋势77
二、我国EDA系统发展思路、发展途径、主要门类与重点产品80
第四节 航天微电子技术82
一、概述82
二、辐射效应和加固技术83
三、航天微电子技术的发展趋势85
四、发展航天微电子的挑战85
第五节 中国集成电路设计业发展的机遇与预测87
一、发展现状88
二、政策支持情况分析89
三、对中国内地集成电路设计业发展的预测及政策措施建议90
参考文献92
第四章 纳米集成电路与系统芯片制造技术93
第一节 纳米集成电路与系统芯片制造技术研究背景及发展现状93
一、国内的研究背景及发展现状93
二、国际制造工艺发展现状103
第二节 纳米集成电路与系统芯片制造技术领域中的若干关键问题104
一、光刻工艺104
二、新材料和新工艺技术108
三、450毫米硅片工艺技术113
四、工艺模型技术114
五、针对非传统器件的新工艺技术115
第三节 纳米集成电路与系统芯片制造技术未来发展趋势116
一、光刻116
二、前端工艺118
三、后端工艺119
第四节 建议我国重点支持和发展的方向120
第五节 有关政策与措施建议122
参考文献122
第五章 SiP及其测试126
第一节 SiP及其测试领域研究背景及发展现状126
一、Sip的基本概念126
二、国外研究背景及发展现状分析128
三、中国内地研究背景及现状133
四、小结135
第二节 Sip及其测试领域中的若干关键技术135
一、Sip设计方法与工具135
二、Sip关键工艺技术137
三、先进封装相关材料148
四、SiP测试技术150
五、SiP可靠性153
第三节Sip及其测试领域未来发展趋势155
第四节 我国对Sip及其测试领域支持建议及发展预测156
一、对Sip及其测试领域的支持情况156
二、对Sip及其测试领域的支持建议158
三、发展预测159
第五节 有关政策与措施建议159
参考文献160
第六章 化合物半导体163
第一节 化合物半导体领域研究背景及发展现状163
一、化合物半导体领域研究背景163
二、化合物半导体领域发展现状163
第二节 化合物半导体领域中的若干关键问题171
第三节 化合物半导体领域未来发展趋势174
第四节 建议我国重点支持和发展的方向180
一、我国对化合物半导体领域现有支持情况分析180
二、我国对化合物半导体领域支持建议与发展预测181
参考文献182
第七章 功率器件与集成技术185
第一节 功率半导体器件与集成技术简介185
一、功率半导体器件简介185
二、功率集成技术简介186
第二节 功率半导体器件与BCD集成工艺的发展现状及技术趋势188
一、国际功率半导体器件发展现状与技术趋势188
二、国内功率半导体器件发展现状与技术趋势194
三、国际BCD工艺的发展现状与技术趋势195
四、国内BCD工艺的发展现状与技术趋势209
五、国内外BCD功率集成技术比较212
第三节 功率半导体器件与集成技术的未来发展趋势及若干关键问题214
一、功率半导体器件领域未来发展趋势及若干关键问题214
二、BCD集成工艺领域未来发展趋势及若干关键问题217
第四节 建议我国重点支持和发展的方向219
一、我国对功率器件与功率集成技术领域现有支持情况分析219
二、我国对功率器件与功率集成技术领域支持建议及发展预测220
参考文献221
第八章 MEMS/NEMS227
第一节 MEMS/NEMS领域研究背景及发展现状227
一、MEMS/NEMS背景概述227
二、MEMS/NEMS的发展现状229
第二节 MEMS/NEMS领域中的若干关键问题247
一、MEMS/NEMS材料问题247
二、MEMS/NEMS设计问题250
三、MEMS/NEMS加工问题257
四、小结264
第三节 MEMS/NEMS领域未来发展趋势265
第四节 建议我国重点支持和发展的方向267
一、我国对 MEMS/NEMS领域现有支持情况分析267
二、我国对MEMS/NEMS领域支持建议及发展预测269
第五节 有关政策与措施建议272
参考文献273
第九章 碳基纳米技术278
第一节 引言278
第二节 石墨烯278
一、石墨烯电学特性的基础理论研究279
二、新型石墨烯制备方法279
三、基于石墨烯的晶体管器件与禁带开启问题280
四、石墨烯射频场效应晶体管280
五、基于石墨烯复杂集成电路的设计和制备281
六、石墨烯在电子器件上的其他应用281
第三节 碳纳米管282
一、碳纳米管的基本结构282
二、碳纳米管的合成方法282
三、碳纳米管的电学性质283
四、基于碳纳米管的电子器件284
第四节 结语285
参考文献285
第十章 固体理论进展研究292
第一节 引言292
第二节 能带结构与载流子量子输运293
一、能带计算方法的进展294
二、第一原理计算与密度泛函方法295
三、载流子量子输运299
第三节 低维材料物理(包括铁基超导)302
一、量子点、量子线、量子阱302
二、碳纳米管305
三、石墨烯308
四、拓扑绝缘体314
五、铁基超导324
第四节 硅基集成电路器件与新型存储器结构327
一、应变硅技术327
二、隧穿场效应晶体管329
三、新型存储器技术330
四、非晶氧化物半导体333
第五节 致谢335
参考文献335