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第一章 高Tc超导薄膜2

1.1 高T氧化物超导薄膜的制造技术2

1.1.1 制造工艺原理2

1.1.2 YBaCuO超导薄膜的制造5

1.1.3 BiSrCaCuO超导薄膜的制造12

1.1.4 TlBaCaCuO超导薄膜的制造13

1.2 高Tc超导薄膜的成分和结构13

1.2.1 高Tc超导薄膜的成分13

1.2.2 高Tc超导薄膜的结构16

1.3 高Tc超导薄膜的性能23

1.3.1 临界温度23

1.3.2 临界电流密度24

1.3.3 临界磁场25

1.3.4 相干长度26

1.3.5 穿透深度26

1.3.6 稳定性27

1.4 高Tc超导薄膜的应用27

1.4.1 超导无源元件28

1.4.2 超导有源器件29

参考文献33

第二章 导电薄膜35

2.1 导电薄膜的制造技术35

2.1.1 金属薄膜的制造36

2.1.2 复合导电薄膜的制造40

2.1.3 高熔点金属薄膜的制造41

2.1.4 多晶硅薄膜43

2.1.5 金属硅化物薄膜的制造45

2.1.6 透明导电薄膜的制造48

2.2 导电薄膜的组成和性质51

2.2.1 铝及铝合金薄膜的组成和性质51

2.2.2 复合导电薄膜的组成和性质57

2.2.3 高熔点金属薄膜的组成和性质63

2.2.4 多晶硅薄膜的组成和性质69

2.2.5 金属硅化物薄膜的组成与性质75

2.2.6 透明导电薄膜的组成和性质80

2.3 导电薄膜的应用87

2.3.1 导电薄膜在LSI中的应用88

2.3.2 导电薄膜在混合集成电路中的应用90

2.3.3 透明导电薄膜的应用91

参考文献94

第三章 电阻薄膜97

3.1 碳膜97

3.1.1 热分解碳膜的制备97

3.1.2 热分解碳膜的结构98

3.1.3 热分解碳膜的性能98

3.1.4 硼碳膜和硅碳膜99

3.2 金属氧化膜102

3.2.1 金属氧化膜的制备102

3.2.2 金属氧化膜的结构和性能103

3.3 金属和合金膜104

3.3.1 金属膜的结构和性能特点104

3.3.2 铬、钽金属膜108

3.3.3 镍铬合金膜112

3.4 金属陶瓷膜116

3.4.1 金属陶瓷膜的制备116

3.4.2 金属陶瓷膜的结构和性能特点118

3.4.3 同时淀积导电相和介质相的金属陶瓷膜119

3.4.4 合金膜部分氧化得到的金属陶瓷膜121

参考文献125

第四章 半导电薄膜128

4.1 硅薄膜128

4.1.1 单晶硅薄膜128

4.1.2 多晶硅薄膜138

4.1.3 非晶硅薄膜145

4.2.1 概述151

4.2 锗薄膜151

4.2.2 单晶锗薄膜152

4.2.3 多晶锗薄膜154

4.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体薄膜156

4.3.1 概述156

4.3.2 砷化镓薄膜156

4.3.3 磷化镓薄膜160

4.3.4 多元固溶体薄膜162

4.4.2 含汞化合物薄膜166

4.4 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜166

4.4.1 概述166

4.4.3 无汞化合物薄膜170

4.5 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体薄膜175

4.5.1 铅的硫属化合物薄膜175

4.5.2 碲锡铅薄膜178

参考文献180

5.1 介质薄膜的制造技术、组成与性质183

5.1.1 一氧化硅薄膜183

第五章 介质薄膜183

5.1.2 二氧化硅薄膜186

5.1.3 钽基介质薄膜197

5.1.4 氮化硅薄膜210

5.1.5 A12O3介质薄膜219

5.1.6 多元金属氧化物薄膜221

5.1.7 其他介质薄膜228

5.2 介质薄膜的应用230

5.2.1 用作电容器介质230

5.2.2 用作隔离和掩模层231

5.2.3 表面钝化膜233

5.2.4 多层布线绝缘膜237

参考文献238

第六章 磁性薄膜240

6.1 稀土-过渡金属（RE-TM）磁光膜240

6.1.1 磁光克尔效应241

6.1.2 制备工艺对薄膜性能的影响242

6.2 氧化物及锰铋系磁光薄膜248

6.2.1 Bi和A1代石榴石磁光膜的制备和性能249

6.2.2 Bi,Ga代DyIG薄膜的制备和性能250

6.2.3 石榴石薄膜晶体结构及离子取代规律253

6.2.4 石榴石型薄膜磁光盘254

6.3 多层调制磁光薄膜255

6.4 磁阻薄膜256

6.4.1 结构和尺寸对磁阻薄膜性能的影响257

6.4.2 影响磁阻薄膜性能的工艺因素258

6.4.3 磁阻薄膜的磁化特性262

6.5.1 多层膜巨磁阻特性263

6.5 巨磁阻多层膜263

6.5.2 影响多层膜磁阻性能的因素264

6.5.3 磁阻薄膜传感器267

6.6 磁记录薄膜268

6.6.1 化学镀法269

6.6.2 反应溅射和真空蒸发法270

参考文献277

第七章 压电薄膜280

7.1 压电薄膜的制造技术280

7.1.1 ZnO压电薄膜的制造281

7.1.2 AlN压电薄膜的制造284

7.1.3 Ta2O5压电薄膜的制造286

7.1.4 钛酸盐系等压电薄膜的制造286

7.1.5 ZnO/AlN复合压电薄膜的制造287

7.2 压电薄膜的成分和结构288

7.2.1 压电薄膜的分析方法288

7.2.2 压电薄膜的成分288

7.2.3 压电薄膜的结构292

7.2.4 制造工艺对薄膜结构的影响297

7.3 压电薄膜的性能300

7.3.1 物化性能300

7.3.2 介电性能301

7.3.3 压电性能304

7.4 压电薄膜的应用311

7.4.1 体声波器件311

7.4.2 表声波器件312

7.4.3 声光器件314

参考文献315

第八章 热电薄膜318

8.1 热释电薄膜的制备技术318

8.1.1 PbTiO3系薄膜的溅射法制备318

8.1.2 PbTiO3系薄膜的CVD法制备319

8.1.3 PbTiO3系薄膜的溶胶-凝胶法制备320

8.2 热释电薄膜的组成和性质322

8.3 热释电薄膜的应用326

参考文献328