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Part B 熔体生长晶体技术3

7.磷化铟：用稳定的磁场生长晶体及缺陷控制3

7.1历史综述3

7.2磁场下液体封盖生长法4

7.3熔体的磁场接触面7

7.4位错密度14

7.5磁流量对杂质隔离的影响18

7.6 InP：Fe的光学特征22

7.7总结24

参考文献25

8.半导体直拉硅单晶和太阳能电池应用29

8.1激光扫描光散射技术生长硅单晶和太阳能电池应用30

8.2直拉硅单晶的晶体缺陷的控制35

8.3太阳能电池应用的多晶硅的生长和特征37

8.4总结38

参考文献39

9.氧化物光折变单晶的直拉生长法43

9.1背景44

9.2晶体生长44

9.3直拉生长系统的设计和发展45

9.4铌酸锂晶体的生长及其特性50

9.5其他氧化物光折变晶体60

9.6软铋矿晶体的生长及其特性62

9.7结论71

参考文献71

10.三元化合物Ⅲ-Ⅴ族半导体体材料晶体生长79

10.1 Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体80

10.2三元化合物衬底的需求81

10.3器件级三元化合物衬底标准82

10.4布里兹曼晶体生长技术介绍84

10.5 Ⅲ-Ⅴ族的二元化合物晶体生长技术综述90

10.6三元化合物相平衡98

10.7三元化合物半导体合金偏析100

10.8三元化合物晶体裂纹的形成102

10.9单晶三元化合物籽晶生产工艺106

10.10均质合金生长的溶质配备过程109

10.11熔体-固体界面形状的作用116

10.12结论119

参考文献119

11.用于红外线探测器的锑基窄禁带Ⅲ-Ⅴ族半导体晶体的生长与特性125

11.1锑基半导体的重要性127

11.2相图128

11.3晶体结构和成键129

11.4材料合成和提纯131

11.5体材料InSb的生长132

11.6InSb、 InAsxSb1-x、 InBixSb1-x的结构特性138

11.7InSb、 InAsxSb1-x、 InBixSb1-x的物理性质144

11.8应用155

11.9结语与展望157

参考文献158

12.光学浮区技术用于氧化物晶体生长165

12.1历史165

12.2光学浮区技术——氧化物的应用166

12.3光学浮区及溶区移动晶体生长技术167

12.4浮区技术的优势和局限168

12.5光学浮区炉169

12.6 OFZT的陶瓷和晶棒生长的实验细节170

12.7同成分和不同成分熔融氧化物的稳定生长171

12.8结构过冷和结晶前的稳定性173

12.9晶体生长的终止和冷却175

12.10 OFZ技术的晶体生长特点175

12.11晶体缺陷测定——实验方法178

12.12 OFZ和TSFZ方法选定氧化物单晶生长的具体条件181

12.13结论184

参考文献184

13.激光加热基座生长氧化物纤维191

13.1光纤拉丝研究192

13.2激光加热基座生长技术197

13.3原理200

13.4纤维生长方面的问题207

13.5结论216

参考文献217

14.采用壳融技术合成高熔点材料231

14.1概述231

14.2冷坩埚中单晶生长技术233

14.3基于二氧化锆的单晶生长241

14.4冷坩埚中壳融法玻璃的合成263

14.5结论267

参考文献267

15.激光基质氟化物和氧化物晶体生长277

15.1熔融激光氟化物和氧化物晶体生长277

15.2激光晶体缺陷285

15.3晶体生长技术特征299

参考文献301

16.晶体生长的成型307

16.1定义和讨论的范围：用CST法制备SCG308

16.2 DSC——用CST法制备SCG的基础310

16.3用CZT法制备SA和SCG315

16.4用VT法制备SA和SCG317

16.5用FZT法制备SA和SCG320

16.6 TPS毛细管形成320

16.7 TPS的蓝宝石生长337

16.8 TPS的硅生长344

16.9 TPS的金属生长349

16.10 TPS的特性350

参考文献350