图书介绍
半导体器件新工艺新技术译文集PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 上海半导体器件研究所编辑 著
- 出版社： 上海半导体器件研究所
- ISBN：
- 出版时间：1980
- 标注页数：113页
- 文件大小：58MB
- 文件页数：117页
- 主题词：
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图书目录
一、半导体工艺技术的回顾与展望1
二、氧化物隔离技术的若干方面6
三、窄沟道场效应晶体管的阈值电压14
四、多路选通液晶显示21
五、工艺改进使利用硅—蓝宝石工艺制作的CMOS进入商用阶段30
六、一种新的自对准接触工艺39
七、离子注入硅和其它材料的激光退火效应41
八、扩散砷的硅的热氧化52
九、等离子体氧化氮化物MOS结构的特性61
十、与注入顺序有关的再分布效应67
十一、堆垛层错对MOS存储器刷新时间的有害影响71
十二、集成电路中铝与N-型多晶硅界面处多晶硅溶解作用与接触电阻的减小78
十三、硼在多晶硅中的横向扩散及其对制作亚微米MOS晶体管的影响84
十四、MOS LSI钝化的活性等离子体淀积氮化硅薄膜94
十五、冷却效果高、装配简单的大规模集成电路管壳—四列直插式封装108