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第1章 前言1

1.1 研究背景1

1.1.1 技术概况2

1.1.2 产业现状6

1.1.3 行业需求13

1.2 研究对象和方法17

1.2.1 数据检索17

1.2.2 查全查准率评估21

1.2.3 相关事项约定21

第2章 新型高密度随机存取存储器25

2.1 新型高密度随机存取存储器技术概况25

2.2 MRAM专利分析28

2.2.1 MRAM技术概况28

2.2.2 全球专利申请状况29

2.2.3 中国专利申请状况33

2.2.4 关键技术分析39

2.2.5 重要申请人分析68

2.2.6 小结74

2.3 RRAM专利分析76

2.3.1 RRAM技术概况76

2.3.2 全球专利申请状况76

2.3.3 中国专利申请状况80

2.3.4 小结83

2.4 FRAM专利分析84

2.4.1 全球专利申请状况84

2.4.2 中国专利申请状况87

2.4.3 小结89

2.5 PRAM专利分析90

2.5.1 技术概况90

2.5.2 全球专利申请状况91

2.5.3 中国专利申请状况93

2.5.4 小结96

2.6 本章小结96

第3章 16nm/14nm技术专利分析98

3.1 技术概况98

3.1.1 FinFET99

3.1.2 EUV光刻技术100

3.1.3 3D集成技术101

3.1.4 3D集成热管理技术104

3.2 FinFET105

3.2.1 全球专利申请态势分析105

3.2.2 中国专利申请态势分析108

3.2.3 FinFET技术路线112

3.2.4 英特尔与中芯国际的技术比较115

3.2.5 小结120

3.3 EUV光刻技术121

3.3.1 全球专利申请态势分析121

3.3.2 中国专利申请态势分析129

3.3.3 EUV技术路线133

3.3.4 小结135

3.4 3D集成技术137

3.4.1 全球专利申请态势分析138

3.4.2 中国专利申请态势分布142

3.4.3 3D集成TSV技术分析147

3.4.4 小结160

3.5 3D集成热管理技术161

3.5.1 热管理技术概况161

3.5.2 全球专利申请态势分析162

3.5.3 中国专利申请态势分析164

3.5.4 国际专利技术发展路线分析167

3.5.5 中国专利技术发展路线分析176

3.5.6 小结177

3.6 本章小结178

第4章 CPU指令系统专利分析179

4.1 CPU指令系统综述179

4.1.1 技术发展现状179

4.1.2 产业链位置181

4.1.3 小结182

4.2 全球专利申请态势分析182

4.2.1 总体申请趋势分析182

4.2.2 区域分布分析183

4.2.3 原创分布分析183

4.2.4 申请流向分析184

4.2.5 主要申请人分析184

4.3 中国专利申请态势分析185

4.3.1 总体申请态势分析185

4.3.2 技术构成分析185

4.3.3 国别分析186

4.3.4 主要申请人分析187

4.3.5 区域分布分析187

4.4 英特尔188

4.4.1 申请态势分析188

4.4.2 重点技术主题分析189

4.4.3 法律状态分析199

4.4.4 发明人分析200

4.4.5 技术发展路线分析201

4.4.6 专利申请热点分析212

4.4.7 重点专利分析216

4.5 ARM217

4.5.1 申请态势分析217

4.5.2 重点技术主题分析218

4.5.3 地域分布分析221

4.5.4 技术发展路线分析221

4.5.5 专利申请热点分析227

4.5.6 重点专利分析231

4.6 小结232

第5章 结论和建议235

5.1 新型高密度存储器领域235

5.1.1 MRAM235

5.1.2 RRAM237

5.1.3 FRAM238

5.1.4 PRAM238

5.2 16nm/14nm技术领域238

5.2.1 FinFET239

5.2.2 EUV光刻技术240

5.2.3 3D集成技术240

5.2.4 3D集成热管理技术244

5.3 CPU指令系统领域244

5.3.1 专利申请态势244

5.3.2 CPU指令系统未来的发展244

图索引247

表索引252