图书介绍
产业专利分析报告 第10册 功率半导体器件PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 杨铁军主编 著
- 出版社： 北京：知识产权出版社
- ISBN：9787513017886
- 出版时间：2013
- 标注页数：200页
- 文件大小：56MB
- 文件页数：223页
- 主题词：专利－研究报告－世界
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产业专利分析报告 第10册 功率半导体器件PDF格式电子书版下载
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图书目录
第1章 研究概述1
1.1 技术概况1
1.1.1 主要功率半导体器件的技术特点及应用2
1.1.2 产业现状3
1.1.3 行业需求5
1.2 研究对象和方法5
1.2.1 技术分解5
1.2.2 数据检索9
1.2.3 查全查准评估10
1.2.4 数据处理10
1.2.5 相关事项和约定13
第2章 功率半导体器件领域专利分析15
2.1 全球专利分析15
2.1.1 发展趋势分析15
2.1.2 首次申请国家／地区分析17
2.1.3 目标国家／地区分析19
2.1.4 申请人分析20
2.2 中国专利分析21
2.2.1 中国专利申请发展趋势分析21
2.2.2 主要技术分析23
2.2.3 专利申请的国别分析25
2.2.4 专利申请的省市／地区区域分布26
2.2.5 国内外申请人的类型分析27
2.2.6 主要申请人分析28
2.3 结论28
第3章 IGBT领域专利申请分析30
3.1 IGBT领域产业技术概况30
3.1.1 技术概况30
3.1.2 产业现状31
3.2 全球专利申请现状32
3.2.1 技术构成分析35
3.2.2 IGBT结构的技术发展路线38
3.2.3 首次申请国家／地区分析45
3.2.4 目标国家／地区分析48
3.2.5 申请人分析49
3.3 中国专利申请现状51
3.3.1 申请趋势分析52
3.3.2 技术构成分析54
3.3.3 技术功效分析58
3.3.4 国外申请人区域分布分析69
3.3.5 中国申请人区域分布分析70
3.3.6 主要申请人分析72
3.3.7 小结77
3.4 结论77
3.4.1 全球申请77
3.4.2 中国申请78
第4章 SiC器件专利申请分析79
4.1 全球专利申请现状80
4.1.1 申请趋势分析80
4.1.2 技术生命周期分析82
4.1.3 技术构成分析87
4.1.4 申请人国家／地区分布89
4.1.5 申请人分析94
4.2 中国专利申请现状98
4.2.1 申请趋势分析99
4.2.2 技术构成分析100
4.2.3 申请人分析103
4.3 MOSFET栅氧化膜技术分析109
4.3.1 发展路线分析109
4.3.2 中国申请技术布局113
4.3.3 未来需重点关注的相关申请115
4.4 结论115
4.4.1 全球申请状况115
4.4.2 中国申请状况116
4.4.3 MOSFET栅氧化膜技术117
第5章 英飞凌公司专利申请分析118
5.1 专利申请现状119
5.1.1 申请量趋势分析119
5.1.2 首次申请及目标国家／地区分布121
5.1.3 中国专利申请现状122
5.2 COOLMOS分析123
5.2.1 产业现状123
5.2.2 核心专利分析124
5.3 IGBT分析127
5.3.1 技术分支分析127
5.3.2 发明人分析128
5.3.3 中国专利分析129
5.4 结论131
第6章 ABB公司专利申请分析132
6.1 概况132
6.1.1 技术领域132
6.1.2 在华业务132
6.2 全球专利申请现状133
6.2.1 全球专利申请趋势及国家分布133
6.2.2 全球专利申请的技术分支134
6.2.3 中国专利申请分析136
6.2.4 中国专利申请的失效专利分析137
6.3 合作申请人分析141
6.4 发明人分析141
6.5 结论144
第7章 重要专利筛选及分析146
7.1 重要专利的筛选146
7.1.1 分析方法与判断标准146
7.1.2 技术周期相对被引指数147
7.1.3 重要专利列表149
7.2 重要专利的整体信息分析149
7.2.1 降低导通电阻150
7.2.2 提高开关特性150
7.2.3 提高击穿电压151
7.2.4 减少闩锁效应151
7.2.5 其他技术目标152
7.3 重要专利的特有信息分析153
7.3.1 重要专利的引用分析153
7.3.2 重要专利的申请思路155
7.3.3 重要专利的撰写分析156
7.3.4 重要专利的布局分析160
7.4 三菱公司的重要专利161
7.4.1 三菱在中国申请的重要专利161
7.4.2 三菱在国外申请的重要专利162
7.5 其他申请人国内外申请的重要专利165
7.5.1 其他申请人在中国申请的重要专利165
7.5.2 其他申请人在国外申请的重要专利166
7.6 结论168
第8章 主要结论169
8.1 功率半导体器件领域整体结论169
8.2 IGBT领域结论170
8.3 SiC器件领域结论171
8.4 重点申请人结论172
8.5 重要专利结论173
附录1 重要专利列表174
附录2 SiC MOSFET器件栅氧化膜技术未来需要关注的相关申请188
图索引194
表索引197