图书介绍
抗辐射集成电路概论PDF|Epub|txt|kindle电子书版本网盘下载
- 韩郑生编著 著
- 出版社： 北京：清华大学出版社
- ISBN：9787302245476
- 出版时间：2011
- 标注页数：203页
- 文件大小：29MB
- 文件页数：221页
- 主题词：抗辐射性－集成电路
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图书目录
第1章 绪论1
1.1 抗辐射集成电路技术发展概况1
1.2 抗辐射集成电路技术的发展方向5
1.2.1 SOI技术5
1.2.2 抗辐射设计技术6
1.2.3 新材料、新结构6
1.3 本书的章节安排7
第2章 辐射环境8
2.1 空间环境8
2.1.1 内辐射带8
2.1.2 槽形辐射带9
2.1.3 外辐射带和准俘获区9
2.1.4 地磁尾区和低高度区9
2.1.5 银河宇宙射线9
2.1.6 太阳耀斑9
2.2 核爆炸辐射环境10
2.2.1 大气层外爆炸10
2.2.2 大气层内爆炸11
2.3 核动力辐射12
第3章 辐射效应13
3.1 总剂量辐射效应13
3.2 中子辐射效应14
3.3 瞬时辐射效应15
3.4 单粒子效应16
3.4.1 单粒子瞬变效应和单粒子翻转效应16
3.4.2 单粒子闩锁效应18
3.4.3 单粒子功能中断19
3.4.4 单粒子烧毁效应和单粒子栅穿效应19
3.5 剂量增强效应19
3.6 低剂量率效应20
第4章 抗辐射双极集成电路设计21
4.1 双极集成电路的制造工艺21
4.2 双极集成电路的晶体管26
4.3 双极集成电路的二极管32
4.4 集成电路中的无源元件34
4.5 双极晶体管的辐射效应42
4.5.1 中子辐射对双极晶体管特性的影响42
4.5.2 γ射线或X射线的瞬时辐射效应45
4.6 结构及工艺加固技术46
4.6.1 减薄基区宽度46
4.6.2 优化集电区参数47
4.6.3 优化金属化材料47
4.6.4 表面钝化技术47
4.6.5 预先增加基区复合48
4.7 电路设计加固技术48
4.7.1 中子注量加固48
4.7.2 对瞬时辐射加固技术49
4.8 双极数字电路50
4.9 双极模拟电路50
4.9.1 运算放大器50
4.9.2 比较器53
4.9.3 稳压电源54
第5章 抗辐射MOS集成电路设计56
5.1 MOS集成电路的基本制造工艺56
5.2 材料及工艺加固技术61
5.2.1 单晶硅材料62
5.2.2 外延层材料64
5.2.3 SOS和SOI材料66
5.2.4 SOI CMOS电路特点69
5.2.5 SOI CMOS工艺加固技术78
5.3 电路设计加固技术80
5.3.1 电路结构加固技术80
5.3.2 版图设计加固技术88
第6章 微处理器加固技术92
6.1 PDSOI 80C51微控制器的系统架构93
6.1.1 PDSOI 80C51微控制器的CPU结构93
6.1.2 PDSOI 80C51微控制器的存储器结构95
6.1.3 PDSOI 80C51微控制器的特殊功能寄存器结构96
6.1.4 PDSOI 80C51微控制器的I/O端口结构97
6.1.5 PDSOI 80C51微控制器的定时器／计数器结构98
6.1.6 PDSOI 80C51微控制器的中断系统结构98
6.2 PDSOI 80C51微控制器的工作方式100
6.2.1 复位工作方式100
6.2.2 节电工作方式100
6.2.3 程序执行方式101
6.3 PDSOI 80C51微控制器的工作时序101
6.3.1 指令的取指／执行时序101
6.3.2 访问片外ROM/RAM的指令时序102
6.4 PDSOI 80C51微控制器的指令系统104
6.5 PDSOI 80C51微控制器的电路设计106
6.5.1 输入输出端口的电路设计106
6.5.2 定时器／计数器2的电路设计109
6.6 PDSOI 80C51微控制器电路的加固设计112
6.6.1 PDSOI 80C51微控制器电路设计112
6.6.2 PDSOI 80C51微控制器的版图设计113
6.6.3 PDSOI 80C51微控制器的测试及可靠性试验113
第7章 存储器加固技术116
7.1 静态随机存取存储器116
7.1.1 SRAM的基本结构116
7.1.2 SRAM的性能和时序117
7.1.3 SRAM的读写操作118
7.1.4 字线位线的结构优化121
7.1.5 存储单元的参数优化122
7.1.6 灵敏放大器125
7.1.7 时序以及控制信号的处理127
7.2 抗辐射SOI CMOS静态随机存储器128
7.2.1 抗辐射SOS CMOS SRAM128
7.2.2 抗辐射SOI CMOS SRAM128
7.3 DRAM136
7.3.1 DRAM的基本结构137
7.3.2 DRAM中的软失效137
7.4 PROM139
7.4.1 熔丝型PROM139
7.4.2 结破坏型PROM142
第8章 FPGA加固技术143
8.1 FPGA的类型143
8.1.1 基于反熔丝结构的FPGA143
8.1.2 基于SRAM结构的FPGA145
8.1.3 基于Flash结构的FPGA146
8.1.4 兼有SRAM块和反熔丝逻辑的FPGA146
8.2 基于反熔丝结构的FPGA中的辐射效应及加固措施147
8.2.1 辐射效应147
8.2.2 工艺加固措施147
8.2.3 电路设计加固措施147
8.3 基于SRAM结构的FPGA中的辐射效应及加固措施148
8.3.1 辐射效应148
8.3.2 工艺加固措施148
8.3.3 电路设计加固措施149
第9章 模型参数153
9.1 模型参数的分类153
9.1.1 器件模型153
9.1.2 互连模型155
9.2 提取模型参数的数据获取156
9.3 MOS模型参数提取157
9.3.1 BSIM SOI模型157
9.3.2 与总剂量辐射相关的模型参数159
9.3.3 与抗单粒子辐射相关的模型160
9.4 BJT模型164
第10章 集成电路抗辐射性能评估167
10.1 抗总剂量辐射性能168
10.1.1 试验系统168
10.1.2 测试方法170
10.1.3 测试内容174
10.2 抗单粒子辐射性能174
10.2.1 试验系统174
10.2.2 试验方法176
10.2.3 测试内容181
10.3 抗瞬时辐射性能182
10.3.1 剂量率感应锁定182
10.3.2 数字微电路的剂量率感应翻转188
10.3.3 线性微电路的剂量率感应翻转192
10.4 抗中子辐射性193
10.4.1 试验系统194
10.4.2 试验方法194
10.4.3 测试内容195
词汇表196
参考文献200